片状晶圆缺陷减轻制造技术

一种形成片状晶圆的方法，该方法在作为晶体生长熔炉的一部分的坩锅中熔化给料材料，以及使多条细丝通过坩埚以形成（未分离的）片状晶圆。多个片状晶圆可以形成在坩埚中的不同通道中。在生长期间，使用一个或多个视觉系统来确定片状晶圆是否具有缺陷状况。如果检测到缺陷，则可以采用多种校正措施中的任何一个，诸如激活切割设备以去除片状晶圆的至少一部分，估计缺陷并且对片状晶圆的一部分进行分级（例如，用于基于该分级来进行分类）和/或产生标记。在多通道实施例中，可以在一个通道中专注于缺陷，而在一个或多个其他通道中继续片生长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体涉及片状晶圆(sheet wafer)，并且更具体地，本专利技术涉及片状晶圆的制造。
技术介绍
硅晶圆是诸如太阳能电池、集成电路以及MEMS器件的多种半导体器件的构造块。例如，Marlboro Massachusetts的Evergreen Solar公司从通过使两条细丝通过娃溶融体的坩埚而制造的硅片状晶圆形成太阳能电池。硅片的连续生长消除了对于使切割批量生产的硅以形成晶圆的需要。通过坩埚(crucible)的底部向上引入高温材料的两条细丝，其中，坩埚包括称为“熔融体(melt)”的熔融硅的薄层。将籽晶(seed) 被沉降到熔融体中，连接到两条细丝(filament)，并且然后从熔融体垂直向上拉伸。在籽晶的底端和熔融体之间的界面处形成弯月形式，并且熔化的硅紧挨在熔融体上方冷凝(freeze)成硅片。细丝用于稳定生长片的边缘。美国专利n0.7，507，291描述了一种用于在单个坩埚中同时生长多个细丝稳定的晶体片的方法，其全部内容通过引用合并于此。每个片在多通道熔炉中的“通道”中生长。因此，与在单通道熔炉中的晶体片制造相比，减少了制造晶圆的成本。如其他晶圆制造技术，该晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：莱奥·万格拉比克，小杰拉尔德·A·辛普森，苏马纳·哈马，史蒂芬·亚马蒂诺，
申请(专利权)人：盛时公司，
类型：
国别省市：