【技术实现步骤摘要】
光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法
本申请涉及半导体制造
，具体而言，涉及一种光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法。
技术介绍
为了使晶圆上的器件功能正常，需要避免晶圆制作中的沾污。随着器件关键尺寸缩小，对沾污的控制要求变得越来越严格。光罩或晶圆的污染会导致晶圆的叠对偏移及散焦问题。现有技术中，光罩上版图的对准标记的个数为两个，如图1所示。在进行晶圆的光刻时，光刻机会计算出晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数来进行对准光刻，根据两个对准标记计算得出的光罩膨胀系数与光罩旋转系数并不准确，不能准确地判断出光罩或晶圆是否存在污染。在后期的检测过程中我们只在每批晶圆中抽出一个晶圆进行检测，如果此晶圆不存在叠对偏移，则我们就认为此批晶圆均不存在异常。事实上，如果光罩或者其他晶圆存在沾污问题，此批晶圆必定存在叠对偏移的晶圆，最极端的情况就是同批次其他24个晶圆都出现叠对偏移，这样检测的判断就是错误的，最终导致晶圆的成品率低、可靠性低。另外，如果一个批次的晶圆出现叠对偏移，需要增加检测来提前预防其他批次的晶圆出现叠对偏移。这就...
【技术保护点】
一种光罩，包括版图，所述版图包括对准标记，其特征在于，所述对准标记的个数不少于三个。
【技术特征摘要】
1.一种光罩或晶圆沾污的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：
步骤S1，检测一批晶圆中的各个晶圆对应的光罩的光罩膨胀系数，所述光罩包括版图，所述版图包括对准标记，所述对准标记的个数不少于三个；以及
步骤S2，比较各所述光罩膨胀系数，如果光罩膨胀系数出现异常则判断该光罩膨胀系数对应的光罩或晶圆出现沾污；
所述步骤S2包括：
步骤S21，计算所述一批晶圆的光罩膨胀系数平均值；
步骤S22，计算各所述膨胀系数与膨胀系数平均值的差值的绝对值，得到一组第一绝对值；以及
步骤S23，比较上述各所述第一绝对值与第一标准值，其中大于所述第一标准值的第一绝对值对应的光罩或晶圆出现沾污。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述版图包括六个对准标记：
第一对准标记(11)、第二对准标记(12)、第三对准标记(13)、第四对准标记(14)、第五对准标记(15)、第六对准标记(16)，相邻所述对准标记的最小间距为20mm～30mm。
3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述版图具有经过中心点(O)的第一定位线(1)、第二定位线(2)和第三定位线(3)，所述第一定位线(1)与所述第三定位线(3)以所述第二定位线(2)为对称轴对称设置，所述第一对准标记(11)和所述第二对准标记(12)以所述中心点(O)为对称中心对称设置在所述第一定位线(1)上，所述第三对准标记(13)和所述第四对准标记(14)以所述中心点(O)为对称中心对称设置在所述第二定位线(2)上，所述第五对准标记(15)和所述第六对准标记(16)以所述中心点(O)为对称中心对称设置在所述第三定位线(3)上。
4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，各所述对准标记距离所述版图边缘的最小距离在1mm～6mm之间。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的检测方法，其特征在于，所述步骤S1包括：
步骤S11，将所述晶圆分别放置在晶圆承载台上，并在所述晶圆的远离所述晶圆承载台的表面上设置光刻胶；
步骤S12，利用所述光罩作为光刻掩膜版对各个所述晶圆上的所述光刻胶进行曝光，形成光刻胶对准标记；以及
步骤S13，读取各个所述晶圆的所述光罩的光罩膨胀系数。
6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一标准值为8nm～12nm。
7.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：
在所述步骤S1中读取所述晶圆的所述光罩的光罩旋转系...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹永祥，杨晓松，王清蕴，卢子轩，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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