一种掩膜板及其制作方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种掩膜板及其制作方法。所述掩膜板包括图形区域和位于图形区域外围、与图形区域的每一侧边对应的对位图形，所述对位图形位于对应侧边所在直线的外侧。且在与所述图形区域每一侧边垂直的方向上，对应的所述对位图形的尺寸为厘米级，从而在制作图形区域的图形时，能够快速实现掩膜板和遮挡板的对位，减少每次曝光的对位时间，降低Take Time，提高产能。并达到零对位偏差的效果，避免因对位不好造成的返工风险，降低成本，提高产品品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种掩膜板及其制作方法。
技术介绍
在半导体器件的制作过程中，掩膜板是必不可少的，它主要由基底和不透光材料两部分组成，基底通常是高纯度、低反射率、低热膨胀系数的石英玻璃，不透光材料通常是在石英玻璃上淀积的一层铬，掩膜图形就是由铬膜形成的，在铬膜的下方还有一层由铬的氮化物或氧化物形成的薄膜，其作用是增加铬膜与石英玻璃之间的黏附力，在铬膜的上方有一层20nm厚的三氧化二铬抗反射层，这些薄膜是通过溅射方法制备的，进一步减小不透光图形的透光率。现有技术中掩膜板的制作过程为：依次在一张玻璃基底制作多个掩膜板的图形。在所述玻璃基底上制作其中一个掩膜板的图形时，需要用遮挡板遮住其他掩膜板所在的区域。为了保证遮挡板遮挡有效区域，在掩膜板的周边区域还形成有遮挡标记，在形成一个掩膜板上的图形前，首先将遮挡板与其周边区域的遮挡标记进行对位。由上可见，掩膜板的制作过程中，遮挡板与遮挡标记的对位会占用一定的生产时间，同时，由于遮挡标记的尺寸精度为微米本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜板，包括基底，所述基底包括至少一个掩膜区域，每一所述掩膜区域包括图形区域，其特征在于，每一所述掩膜区域还包括位于所述图形区域外围、与图形区域的每一侧边对应的对位图形，所述对位图形位于对应侧边所在直线的外侧；在与所述图形区域每一侧边垂直的方向上，对应的所述对位图形的尺寸为厘米级。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜板，包括基底，所述基底包括至少一个掩膜区域，每一所述
掩膜区域包括图形区域，其特征在于，每一所述掩膜区域还包括位于所述图形
区域外围、与图形区域的每一侧边对应的对位图形，所述对位图形位于对应侧
边所在直线的外侧；
在与所述图形区域每一侧边垂直的方向上，对应的所述对位图形的尺寸为
厘米级。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述图形区域的所有侧
边对应的对位图形围成环状图形，所述环状图形环设在所述图形区域的外围。
3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括微米
级的遮挡标记，所述遮挡标记的中心位于所述环状图形靠近所述图形区域的内
侧边上。
4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述图形区域的相邻两
侧边共用一个所述对位图形。
5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述图形区域的侧边与
对位图形一一对应。
6.根据权利要求1-5任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述对位图形包
括镂空部，所述镂空部形成所述掩膜板的对位标记，用于所述掩膜板与半导体
器件的对位。
7.根据权利要求6所述的掩膜板，其特征在于，所述镂空部的形状为矩
形、十字型或圆形。
8.根据权利要求1-5任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述图形区域的
侧边所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周如，黄胜，董必良，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11