柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法技术

一种柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，包括：一外延结构包括在图形衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；在P型GaN层上形成一透明电极层；在透明电极层上形成图形掩膜，在透明电极层上选择性向下刻蚀在N型GaN层上形成凹槽；在透明电极层的表面及凹槽内制作绝缘介质层，在绝缘介质层上制作图形掩膜，在凹槽底部向下选择性刻蚀，形成隔离的深槽，被深槽隔离后的独立单元为微晶粒；在深槽两侧的侧壁上制作绝缘介质层；在其表面制作一层柔性透明导电层；去掉绝缘介质层以外的柔性透明导电层，使其将各独立单元的微晶粒的N型GaN层和其相邻微晶粒的透明电极层连接起来；在透明电极层上制备P电极；在凹槽内的N型GaN层上制备N电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，特别是指一种柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法。
技术介绍
GaN基发光二级管(Light-Emitting Diode, LED)组件在室内照明、交通信号灯、电视、手机、液晶显示背光源、路灯等方面有着非常广泛的应用，这主要是由于其具有省电、环保(不含萊)无污染、寿命长、売度闻、反应快、体积小、闻发光效率等优点，如何进一步提高发光二级管的发光效率成为关键。HV LED是一种阵列式单片集成LED芯片。目前，在制作器件的过程中，通过深刻蚀等工艺在外延层上形成独立的微晶粒，再通过金属电极将各个微晶粒互联起来，串联后提高整颗芯片的工作电压。相对于DC LED来说，HV LED不需要额外的变压器，只需简易的驱动电路，在降低驱动成本的同时，避免了电路转换过程中能量的损失。基于提高LED光效的目的，用于互联的金属材料一般采用吸光较为严重的材料，影响器件表面出光，造成一部分光损失。目前，由于在可见光波段透过率高，ΙΤ0、Ζη0、石墨烯和碳纳米管等材料作为透明电极层已经具有越来越广泛的应用，其中，石墨烯和碳纳米管等材料具有较好的机械性能而称为柔性材料，且相对于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，包括：步骤1：选择一外延结构，该外延结构包括在图形衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；步骤2：在P型GaN层上形成一透明电极层；步骤3：采用光刻的方法在透明电极层上形成图形掩膜，在透明电极层上选择性向下刻蚀，刻蚀深度到达N型GaN层内，在N型GaN层上形成凹槽；步骤4：在透明电极层的表面及凹槽内制作绝缘介质层，在绝缘介质层上制作图形掩膜，在凹槽底部向下选择性刻蚀，刻蚀深度至图形衬底的表面，形成隔离的深槽，被深槽隔离后的独立单元为微晶粒；步骤5：在深槽两侧的侧壁上制作绝缘介质层，形成基片；步骤6：在基片的表面...

【技术特征摘要】
1.一种柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，包括: 步骤1:选择一外延结构，该外延结构包括在图形衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、N型GaN层、量子阱层和P型GaN层； 步骤2:在P型GaN层上形成一透明电极层； 步骤3:采用光刻的方法在透明电极层上形成图形掩膜，在透明电极层上选择性向下刻蚀，刻蚀深度到达N型GaN层内，在N型GaN层上形成凹槽； 步骤4:在透明电极层的表面及凹槽内制作绝缘介质层，在绝缘介质层上制作图形掩膜，在凹槽底部向下选择性刻蚀，刻蚀深度至图形衬底的表面，形成隔离的深槽，被深槽隔离后的独立单元为微晶粒； 步骤5:在深槽两侧的侧壁上制作绝缘介质层，形成基片； 步骤6:在基片的表面制作一层柔性透明导电层； 步骤7:采用光刻的方法，去掉绝缘介质层以外的柔性透明导电层，使其将各独立单元的微晶粒的N型GaN层和其相邻微晶粒的透明电极层连接起来； 步骤8:在透明电极层上制备P电极； 步骤9:在凹槽内的N型GaN层上制备N电极，完成制备。2.根据权利要求1所 述的柔性透明导电层互...

【专利技术属性】
技术研发人员：程滟，詹腾，郭金霞，李璟，刘志强，伊晓燕，王国宏，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：