发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管及其制造方法，该方法包括：在基板上形成多个磊晶材料层，该多个磊晶材料层依序包括缓冲层、n型半导体层、发光层、及p型半导体层；在该p型半导体层的上表面形成透明导电层；对于该透明导电层以自氧化蚀刻技术进行粗糙化处理，使该透明导电层具有粗糙表面；及形成多个电极；通过前述粗糙化处理，可降低光全内反射与提升发光二极管发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管装置及其制造方法，更涉及一种包括自氧化蚀刻技术粗糙化处理的发光二极管装置的制造方法。
技术介绍
发光二极管(light emitting diode,简称LED)目前已广泛应用于照明装置及显示装置，公知制造方法包括:在基板上磊晶、蚀刻磊晶层、设置导电层、及设置电极等步骤。近年来，提升发光二极管装置的发光效率为本
持续研究及发展的目标之一。由于发光二极管内部会有复杂的载子复合与全内反射(total internal reflection,TIR)机制，降低外部光输出效率影响发光二极管亮度。因此，针对光输出亮度的问题，降低光在发光二极管内部全反射率，主要以透明导电层的表面粗糙化处理(surfaceroughness)、改变几何形状(shaping)等技术进行改善，或以大面积组件(large areachip)、覆晶式组件(flip-chip)、光子晶体(photonic crystal)、共振腔(resonantcavity)发光二极管等特殊结构来提升发光效率。针对透明导电层制程的技术，公知制程多针对设置透明导电层的方法，皆无涉于氧化铟锡(Sn:ln2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的制造方法，包括：在基板上形成多个磊晶材料层，该多个磊晶材料层依序包括缓冲层、n型半导体层、发光层、和p型半导体层；在该p型半导体层的上表面形成透明导电层；对于该透明导电层以自氧化蚀刻技术进行粗糙化处理，使该透明导电层具有粗糙表面；和形成多个电极。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制造方法，包括: 在基板上形成多个磊晶材料层，该多个磊晶材料层依序包括缓冲层、η型半导体层、发光层、和P型半导体层； 在该P型半导体层的上表面形成透明导电层； 对于该透明导电层以自氧化蚀刻技术进行粗糙化处理，使该透明导电层具有粗糙表面；和 形成多个电极。2.如权利要求1所述的方法，其中该多个磊晶材料层由氮化铝铟镓AlxInyGa1^N化合物组成，其中I, O ^ y ^ 1,0^ x+y ^ I。3.如权利要求1所述的方法，其中该透明导电层选自氧化镓、氧化铝、氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、未掺杂的氧化锌、掺杂的氧化锌。4.如权利要求1所述的方法，其中该透明导电层选自镍、金、钯、钼、钌、铱、铬或它们的合金的薄膜。5.如权利要求1所述的方法，其中该自氧化蚀刻技术是以直接以干蚀刻或湿蚀刻方式，去除透明导电层表面分子层。6.如权利要求5所述的方法，其中该分子层是透明导电层表面经氧化或其它化学反应而形成。7.如权利要求5所述的方法，其中该干蚀刻包括等离子体蚀刻、激光蚀刻、离子束蚀亥IJ、溅镀蚀刻、反应性离子蚀刻或感应耦合等离子体离子蚀刻等方式。8.如权利要求5所述的方法，其中该湿蚀刻是以酸溶液或碱溶液作为蚀刻剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：李家铭，叶念慈，张翔思，吕坤圃，陈晋毅，
申请(专利权)人：泰谷光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：