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本发明涉及一种发光二极管及其制造方法，该方法包括：在基板上形成多个磊晶材料层，该多个磊晶材料层依序包括缓冲层、n型半导体层、发光层、及p型半导体层；在该p型半导体层的上表面形成透明导电层；对于该透明导电层以自氧化蚀刻技术进行粗糙化处理，使该...
该专利属于泰谷光电科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰谷光电科技股份有限公司授权不得商用。

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