【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制造发光二极管(light-emitting diode,简称LED)的方法,尤其是涉及一种制造高亮度垂直式发光二极管(vertical LED)的方法。
技术介绍
发光二极管目前已广泛应用于照明装置及显示装置,公知LED制程是在蓝宝石基板上进行发光层的磊晶,由于蓝宝石基板的导电性及导热性不佳,因此仅能将两个电极设置在组件的同一侧,形成水平式LED结构,这种结构容易造成电流拥挤效应(current crowding effect),产生高顺向偏压,限制LED的效率及输出功率。为改善上述水平式LED结构的缺点,即蓝宝石基板导电性及导热性不佳的问题, 业界已发展出垂直式LED的结构,是将两电极分别设置在发光层顶端和基板背侧,公知制程是在蓝宝石基板上形成缓冲层(buffer layer);在该缓冲层上成长氮化物化合物层作为发光层,在该发光层上设置导电基板,例如金属基板;接着移除该蓝宝石基板,并在该导电基板背面和该发光层顶端分别设置电极。由此形成可高功率操作的高功率发光二极管组件。目前针对垂直式LED的制程改良,已知例如U94700揭露通过发光层的第二 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张翔思,叶念慈,吕坤圃,王朝成,
申请(专利权)人:泰谷光电科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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