一种双层纳米图形化LED的制备工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种提高LED(发光二极管)出光效率的方法，将纳米图形化P型GaN层和纳米图形化透明电极的方法结合起来，即在一个LED芯片上先纳米图形化P型GaN层，制作透明电极后，再纳米图形化透明电极。一种制备双层纳米图形化LED的工艺步骤为：1）首先纳米图形化LED基片的p型GaN层，刻蚀出周期性的锥形的纳米柱阵列；2）然后在上述纳米柱阵列镀上ITO作为透明电极，再将ITO透明电极纳米图形化；3）最后在上述ITO透明电极上进行常规的LED加电极工艺。本发明专利技术的设计原理简单，制备方法巧妙，是在已经纳米图形化p型GaN层的LED基片的基础上将其透明电极也进行纳米图形化，可以进一步提高纳米图形化LED的出光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管，特别是涉及一种双层纳米尺寸图形化发光二极管的制备工艺方法。
技术介绍
近年来，固态光源发展非常迅速。由于具有体积小、亮度高、寿命长、容易操作和节能等优点，被誉为新一代的光源。但是目前LED仍然存在较低的发光效率，这严重阻碍了白光LED的发展。所以，对LED而言，目前最紧迫的任务就是要提高光发射的量子效率。LED的光发射量子效率(EQE)是由内量子效率(IQE)和萃取系数(LEE)决定，表示式为rL EQE- rL IQE rL LEE0据报道，InGaN/GaN基的LED其内量子效率已经达到90%，但是由于GaN具有较高的折射率(η=2· 5),根据Snell’ s law定律,其临界角,大约只有4%的光能逃逸到空气中。目前，许多方法已被用于提高LED的萃取效率，例如在GaN表面粗化(Jeong-Ho Park,Jeong-Woo Park,II-Kyu Park,and Dong-Yu Kim,App. Phys.Express, 2012, 5, 022101),图形化蓝宝石衬底(Chien-Chun Wang, Han Ku, Chien-Chi本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双层纳米图形化LED的制备工艺方法，其特征在于包括以下步骤：a、首先纳米图形化LED基片的p型GaN层；b、然后在上述被纳米图形化后的p型GaN层制作透明电极，再纳米图形化透明电极；c、最后在上述透明电极上进行常规的LED加电极工艺。

【技术特征摘要】
1.一种双层纳米图形化LED的制备工艺方法，其特征在于包括以下步骤 a、首先纳米图形化LED基片的P型GaN层； b、然后在上述被纳米图形化后的P型GaN层制作透明电极，再纳米图形化透明电极； C、最后在上述透明电极上进行常规的LED加电极工艺。2.根据权利要求I所述的双层纳米图形化LED的制备工艺方法，其特征在于该方法是要求将LED的P型GaN层和透明电极层同时纳米图形化的。3.根据 权利要求2所述的双层纳米图形化LED的制备工艺方法，其特征在于步骤a中，可以通过纳米压印、光刻或胶体模板法制备刻蚀掩模板，然后刻蚀P型GaN所得到纳米图形。4.根据权利要求3所述的双层纳米图形化LED的其中一种制备工艺方法，其特征在于利用胶体模板法制备模板，首先在LED基片的P型GaN层制备单层的单分散微球；所述单分散微球可以是单分散的聚苯乙烯微球、单分散的二氧化硅微球、聚甲基丙烯酸甲酯微球，也可以是单分散的金属微球如单分散的金纳米微球、银纳米微球，所述单分散的微球直径在200nm_lum 之间。5.根据权利要求3所述的双层纳米图形化LED的制备工艺方法，其特征在于 步骤a中，刻蚀出周期性的锥形的纳米柱阵列，首先是刻蚀微球，控制微球的尺寸，而LED表面并未被刻蚀...

【专利技术属性】
技术研发人员：金崇君，陈湛旭，张佰君，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：