一种GaN基发光二极管外延结构的生长方法技术

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及GaN基发光二极管(LED)材料制备
，特别涉及一种GaN基发光二极管浅量子阱层的外延生长方法。_
技术介绍
氮化镓基InGaN/GaN多量子阱发光二极管外延层生长过程中，由于晶格失配及外延层薄膜沉积缺陷等原因，GaN基发光二极管材料在生长过程中会产生应力。有源层中的内应力会影响到外延片的内量子效率及外延片的亮度，同时还会影响到抗静电能力。典型的外延层结构中，浅阱层介于N型氮化镓层与发光量子阱层之间，该层在外延生长中有很大作用。对于浅阱层，不同的生长方法会起到不同的作用，最重要的作用如释放结晶过程中的应力，改善晶体质量等
技术实现思路
·本专利技术针对上述现有技术中存在的问题，提供，更好的改善晶体质量，改进发光效率，提高亮度。本专利通过在外延浅阱层中，采用渐变式生长速率进行外延生长浅阱层，主要方法为选择不同的镓源及选择使用不同的摩尔量。该生长方法可以改善多量子阱表面形貌，减少V型缺陷，改善晶体质量，减小漏电，改善Vz ;同时该生长方法可以缓解外延生长过程中由于晶格失配产生的应力，大幅度提高外延片的亮度，改进LED发光效率。鉴于以上，本专利特别提供一种氮化镓基发光二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaN基发光二极管外延结构的生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、浅量子阱层、发光量子阱层、低温P型GaN层、PAlGaN电流阻挡层、高温P型GaN层和P型接触层，其特征在于，所述浅量子阱层包括多个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InxGa1?xN势阱层，其中0

【技术特征摘要】
1.一种GaN基发光二极管外延结构的生长方法,该外延结构从下向上的顺序依次为:衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、浅量子阱层、发光量子阱层、低温P型GaN层、PAlGaN电流阻挡层、高温P型GaN层和P型接触层，其特征在于，所述浅量子阱层包括多个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由InxGahN势阱层，其中0〈χ〈1和GaN势垒层依次生长而成，所述GaN势垒层采用渐变式生长速率进行生长，Ga源使用TMGa或TEGa进行外延生长。2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构的生长方法，其特征在于，所述GaN势垒层采用渐变式生长速率进行生长的方法是:在生长浅量子阱层的前面一个GaN势垒层A及后面一个GaN势垒层B，均采用较高生长速率进行生长，中间的GaN势垒层采用低于GaN势垒层A或GaN势垒层B的生长速率的2%-10%进行生长。3.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管外延结构的生长方法，其特征在于，所述GaN势垒层采用渐变式生长速率进行生长的方法是:在生长浅量子阱层的前面一个GaN势垒层A及后面一个GaN势垒层B，均采用较高生长速率进行生长，中间的GaN势垒层采用高于GaN势垒层A或GaN势垒层B的生长速率的2%_6%进行生长，GaN势...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭丽彬，刘仁锁，蒋利民，李刚，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：