【技术实现步骤摘要】
发光装置的制造方法
本专利技术涉及一种发光装置的制造方法。
技术介绍
发光二极管(LED)的发光原理因电子移动于n型半导体与p型半导体间释放出能量。由于发光二极管的发光原理不同于加热灯丝的白炽灯,所以发光二极管又称作冷光源。再者,发光二极管较佳的环境耐受度、更长的使用寿命、更轻及便携性、以及较低的耗能让它被视为照明市场中光源的另一选择。发光二极管被应用于如交通号志、背光模块、街灯、以及医疗设备等不同领域,且已逐渐地取代传统的光源。图1说明一现有的发光元件100,其包含一透明基板10,一半导体叠层12形成于透明基板10之上,以及一电极14形成于半导体叠层12之上,其中半导体叠层12包含一第一导电性半导体层120、一主动层122以及一第二导电性半导体层124。发光元件100可更进一步的连接于其他元件以形成一发光装置。发光元件100可通过具有基板10的那一侧连接于一次载体上,或以焊料或胶材形成于次载体与发光元件100间,以形成一发光装置。此外,次载体可更包含一电路其通过例如为一金属线的导电结构电连接于发光元件100的电极14。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术提供一 ...
【技术保护点】
一种发光装置的制造方法,包含以下步骤:提供一发光晶片其具有一上表面及一相对该上表面的下表面;规划多个切割道于该发光晶片的上表面;以及发射一激光光束以沿该切割道形成多个切割区域,其中该各切割区域具有一尖锐末端。
【技术特征摘要】
2012.01.26 US 13/358,8691.一种发光装置的制造方法,包含以下步骤:提供一发光晶片其具有一上表面及一相对该上表面的下表面;规划多个切割道于该发光晶片的上表面;以及发射一激光光束以沿该切割道形成多个切割区域,其中该多个切割区域各具有尖锐末端,且每个切割区域中相邻的尖锐末端相距1μm到10μm。2.如权利要求1所述发光装置的制造方法,其中该激光光束周期性的发射至该发光晶片的上表面,且该发光晶片横向移动。3.如权利要求2所述发光装置的制造方法,其中相邻的该些尖锐末端的距离决定自该激光光束的发射频率及该发光晶片的移动速度。4.如权利要求1所述发光装置的制造方法,其中该多个切割区域的深度介于10μm到30μm间且决定于该激光光束的发射强度以及焦距。5.如权利要求1所述发光装置的制造方法,其中该多个切割区域的剖面视图形成一波浪状图形。6.如权利要求1所述发...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘志辉,叶宗宝,张益逞,廖椿民,
申请(专利权)人:晶元光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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