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一种柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法，包括：一外延结构包括在图形衬底上依次生长的非故意掺杂氮化镓层、N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；在P型GaN层上形成一透明电极层；在透明电极层上形成图形掩膜，在透明电极层上选择性向下刻蚀...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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