利用半导体衬底中的电阻的电平移动电路制造技术

本发明专利技术提供了无论电阻值的大小如何，不影响延迟时间的一种电平移动电路。这个电平移动电路具有如下：第一和第二电阻（Rpar1，Rpar2）；第一和第二串联电路（221，222），其中第一和第二开关元件（HVN1，HVN2）串联连接；上升检测电路（321，322），将来自第一和第二串联电路的输出信号的上升电位与预定阈值进行比较，且如果超过阈值，则输出第一和第二输出信号作为恒定时间段的脉冲；和第三和第四开关元件（PM1、PM2），分别与该第一和第二电阻并联连接。第三和第四开关元件的栅极端子连接至上升检测电路。第一和第二输出信号分别使得第三和第四开关元件进入导通状态。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及以半桥电源为代表的电平移动电路的故障防止方法、缩短延时方法、电流损耗减少方法、和电路面积减小方法。
技术介绍
在半桥电路等中，其中串联连接了开关元件且由高电位电源所驱动，使用电平移动电路从而使得高电位侧的开关元件由低电位信号所驱动。图1示出使用迄今已知的电平移动电路的半桥电路100的配置图。图1中所示的半桥电路100由输出电路110、高电位侧驱动电路120、和低电位侧驱动电路130构成。输出电路110连接至高电位侧驱动电路120和低电位侧驱动电路130。而且，经同步信号从外部输入至高电位侧驱动电路120和低电位侧驱动电路130的每一个。输出电路110由开关元件XD1、开关元件XD2、电源E、和负载LI构成。在输出电路110中，开关元件XDl与开关元件XD2串联连接，负载LI与开关元件XD2并联连接，且高压电源E经由开关元件XDl向负载LI提供电源。开关元件XDl是高电位侧开关元件，且例如可以是η-沟道或p-沟道MOS晶体管、p-型或η-型IGBT (绝缘栅双极晶体管)等。开关元件XD2是低电位侧开关元件，且例如可以是η-沟道MOS晶体管、或η-型IGBT等。下文中，将本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.11.25 JP 2010-2625951.一种电平移动电路，其特征在于，所述电路包括: 第一串联电路，其中半导体衬底中的第一电阻器、连接至用于输入第一电平移动输入信号的输入端子的第一开关兀件、和用于输出第一电平移动输出信号的第一电平移动输出端子串联连接； 第二串联电路，其中半导体衬底中的第二电阻器、连接至用于输入第二电平移动输入信号的输入端子的第二开关兀件、和用于输出第二电平移动输出信号的第二电平移动输出端子串联连接； 上升检测器电路，连接至所述第一串联电路和第二串联电路且向所述上升检测器输入的是分别从所述第一串联电路和第二串联电路输出的所述第一电平移动输出信号和第二电平移动输出信号，所述上升检测器电路将所述第一电平移动输出信号和第二电平移动输出信号的上升电位与预定阈值比较，并当超过所述阈值时，输出作为恒定时间段的脉冲输出的第一输出信号和第二输出信号； 第三开关元件，并联连接至所述第一电阻器，其中所述第三开关元件的源极端子连接至电源电位，所述第三开关元件的漏极端子连接至所述第一电平移动输出端子，且所述第三开关元件的栅极端子连接至所述上升检测器电路；和 第四开关元件，并联连接至所述第二电阻器，其中所述第四开关元件的源极端子连接至电源电位，所述第四开关元件的漏极端子连接至所述第二电平移动输出端子，且所述第四开关元件的栅极端子连接至所述上升检测器电路，其中 所述第三开关元件由来自所述上升检测器电 路的所述第一输出信号所导通，且所述第四开关元件由来自所述上升检测器电路的所述第二输出信号所导通。2.如权利要求1所述的电平移...

【专利技术属性】
技术研发人员：赤羽正志，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：
国别省市：