在半导体基底上形成光阻层的方法技术

一种在半导体基底上形成光阻层的方法。首先，在基底上涂覆第一光阻材料；接着，于烘烤第一光阻材料之前，在第一光阻材料上涂覆第二光阻材料；之后，在１００－１４０℃的温度范围下，烘烤基底５０－８０秒，以形成第一光阻层及同时在其上方形成第二光阻层；最后，将烘烤后的基底冷却至室温。具有降低制造成本和增加生产能力的功效。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体制程，特别是有关于一种微影制程中，。光阻材料为液态，通常是通过旋转涂布设备将光阻材料涂覆于半导体基底表层而在其上形成薄层；接着，再通过将基底放置于热板(hot Plate)上进行烘烤以固化光阻材料，即所谓的软烤(soft bake)，为了防止在进行后续曝光程序时发生驻波效应(standing wave effect)及光阻毒化(Poison)等问题，通常会在用以定义特定电路图案的光阻层上形成一抗反射层(anti-refectye 1ayer，ARL)，即所谓的表层抗反射层(top ARL)；以下配合附图说明图1-图3说明传统技术在半导体基底上形成光阻图案的方法。参阅图1所示，提供一基底10，例如一半导体基底，将一光阻材料(未绘示)涂覆于此基底10上；接着通过热板(未绘示)对光阻材料进行第一烘烤11，以形成光阻层12。参阅图2所示，在覆盖有光阻层12的基底10冷却至室温之后，另一光阻材料，例如一抗反射材料是涂覆于光阻层12上。同样地，通过另外的热板对此光阻材料进行第二烘烤13，以形成抗反射层14，此抗反射层14是作为表层抗反射层，以防止上述的驻波效应及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在半导体基底上形成光阻层的方法，其特征是：它至少包括下列步骤：（１）在基底上涂覆光阻材料；（２）于烘烤该光阻材料之前，在该先阻材料上涂覆抗反射材料；（３）烘烤该基底，以形成光阻层及同时在其上方形成抗反射层；（４）通过图罩 对该抗反射层及该光阻层进行曝光；（５）对该抗反射层及光阻层进行显影，以在该基底上形成光阻图案。

【技术特征摘要】
1.一种在半导体基底上形成光阻层的方法，其特征是它至少包括下列步骤(1)在基底上涂覆光阻材料；(2)于烘烤该光阻材料之前，在该先阻材料上涂覆抗反射材料；(3)烘烤该基底，以形成光阻层及同时在其上方形成抗反射层；(4)通过图罩对该抗反射层及该光阻层进行曝光；(5)对该抗反射层及光阻层进行显影，以在该基底上形成光阻图案。2.根据权利要求1所述的在半导体基底上形成光阻层的方法，其特征是该基底是硅基底，且其上覆盖有导电层或介电层的任一种。3.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：雍镇诚，王明全，杨长浩，
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]