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一种在半导体基底上形成光阻层的方法。首先，在基底上涂覆第一光阻材料；接着，于烘烤第一光阻材料之前，在第一光阻材料上涂覆第二光阻材料；之后，在１００－１４０℃的温度范围下，烘烤基底５０－８０秒，以形成第一光阻层及同时在其上方形成第二光阻层；最...
该专利属于矽统科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过矽统科技股份有限公司授权不得商用。

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