半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法技术

本发明专利技术提供能够抑制催化线的温度的控制变得困难的半导体膜的制造方法和光敏元件的制造方法。该半导体膜的制造方法包括：将催化线加热至规定的温度以上的工序；和在催化线被加热至规定的温度以上之后，导入半导体的材料气体，并且利用加热的催化线分解材料气体，形成半导体膜的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉 及包括利用催化线(触媒線)分解材料气体而形成半导体膜的工序的 。
技术介绍
现有技术中，已知包括利用催化线分解材料气体而形成半导体膜 的工序的半导体膜的制造方法。这种半导体膜的制造方法例如公开在日本专利第3453214号公报中。在上述日本专利第3453214号公报中，通过向催化体(催化线) 供给电力，在被加热至材料气体的热分解温度以上的催化体上导入硅 烷(SiH4)等硅化合物的气体与氢(H2)等其他物质的气体的混合气 体(材料气体)，从而在硅化合物被分解的同时，在基板的表面上形成 硅膜(半导体膜)。但是，在上述日本专利第3453214号公报中，没有公开在形成硅 膜(半导体膜)时，开始向催化体(催化线)供给电力(开始加热) 的定时和导入材料气体的定时。此外， 一般地，开始加热的定时和导 入材料气体的定时是同时的。在这种情况下，在成膜初期的催化线的 温度直至被加热至硅熔融温度的期间，由于未被充分加热的催化线与 材料气体接触，于是材料气体滞留在催化线上，因此存在在催化线的 表面形成催化线与材料气体的化合物的情况。在这种情况下，该化合 物导致催化线的电阻率产生变化，所以存在难以控制加热催化线时的 催化线的温度的问题。
技术实现思路
本专利技术为解决上述问题而提出，本专利技术的一个目的是提供能够抑 制催化线的温度的控制变得困难的。本专利技术的第一方面的半导体膜的制造方法包括将催化线加热至 规定的温度以上的工序；和在催化线被加热至规定的温度以上之后， 导入半导体的材料气体，并且利用加热的催化线分解材料气体，形成 半导体膜的工序。本专利技术的第二方面的光敏元件的制造方法包括将催化线加热至 规定的温度以上的工序；和在催化线被加热至规定的温度以上之后， 导入半导体的材料气体，并且利用加热的催化线分解材料气体，形成 作为光电转换层起作用的半导体膜的工序。附图说明图1是本专利技术中使用的催化线CVD装置的概略图。图2是表示根据本专利技术制造的薄膜类的光敏元件的截面图。图3是表示根据本专利技术制造的异质结型的光敏元件的截面图。具体实施例方式以下，根据附图对将本专利技术具体化的实施方式进行说明。 (第一实施方式)首先，参照图1，对在本专利技术的第一实施方式的半导体膜的制造中 使用的催化线CVD装置的结构进行说明。如图1所示，催化线CVD装置包括反应室1、用于向反应室l内 供给材料气体和调压气体的气体供给部2、与直流电源3连接的催化线 4、排气阀5、用于设置形成半导体膜10的基底20的设置部6、和用 于对设置在设置部6的基底20进行加热的加热器7。催化线4由钨(W)构成。此外，催化线4采用通过直流电源3 通电而被加热的结构。此外，反应室1内的气体能够通过真空泵(未 图示)进行排气，采用通过排气阀5开关排气通路的结构。接着，参照图1，对本专利技术的第一实施方式的半导体膜的制造方法 进行说明。其中，在第一实施方式中，说明在基底20上形成作为半导 体膜10的氢化的非晶硅膜的例子。在以下的表1中表示非晶硅膜的制 造条件的一个例子。表1<table>table see original document page 8</column></row><table>如表1所示，在形成非晶硅膜时，使用由具有约0.5mm的线径的 钨构成的催化线4。在设置有该催化线4的催化线CVD装置的设置部 6上设置有基底20。基底20例如是非晶硅膜、透光性导电膜或单晶硅 基板。在这种状态下，开始非晶硅膜的成膜。在以下的表2中表示第 一实施方式的非晶硅膜的制造工艺。表2<table>table see original document page 8</column></row><table>在通过第一实施方式的半导体膜的制造方法形成非晶硅膜时，首先，如表2所示，由直流电源3向催化线4通电，由此进行催化线4 的加热。此外，如表1所示，基底20通过加热器7被加热至约20(TC。 而且，在催化线4被加热至约170(TC之后，从气体供给部2向反应室 1内导入作为非晶硅膜(半导体膜10)的材料的由SiEU构成的材料气 体和H2气体。如表1所示，SiH4和H2分别以流量为约500sccm和约 1000sccm、压力为约3Pa的条件导入。向反应室1内导入的由SiH4构 成的材料气体被吹附在催化线4上，与催化线4接触。此时，由于催 化线4被加热至大约170(TC的高温，所以由SiH4构成的材料气体不能 滞留在催化线4上。因此，抑制在由钨(W)构成的催化线4的表面 上形成由SiRt产生的化合物(硅化钨)。通过在被加热至约170(TC的催化线4上导入由SiH4构成的材料气体和H2气体，使SiHU通过催化线4被分解，并且分解种堆积在基底 20上，在基底20上形成氢化的非晶硅膜(半导体膜IO)。此外，如表2所示，在形成氢化的非晶硅膜之后，打开排气阀5， 通过真空泵(未图示)对反应室1内进行排气。然后，在反应室1内 的材料气体(SiH4)已实质上被排出之后，停止直流电源3向催化线4 的通电。由此，在材料气体已实质上被排出的状态下，使催化线4的 温度下降。这样，第一实施方式的非晶硅膜(半导体膜10)的成膜结 束。在第一实施方式中，如上所述，通过在将由钨(W)构成的催化 线4加热至约170(TC之后，导入由SiH4构成的材料气体和H2气体， 并且通过加热的催化线4分解材料气体，形成非晶硅膜(半导体膜10)， 能够在催化线4被加热至约170(TC的状态下导入材料气体，因此能够 使确实被加热至约170(TC的催化线4与材料气体接触。由此，与未充 分加热的状态(不足约1700°C)下的催化线4与材料气体接触的情况 不同，能够抑制材料气体滞留在催化线4上，所以在非晶硅膜(半导 体膜IO)的成膜开始时，能够抑制在催化线4的表面形成由鸨(W) 构成的催化线4和由SiH4构成的材料气体的化合物(硅化钩)。因此， 能够抑制由该化合物引起的催化线4的电阻率的变化，从而能够抑制 催化线4的温度的控制变得困难。此外，在第一实施方式中，如上所述，在形成半导体膜10之后， 进行材料气体的排气，通过在材料气体(SiH4)已实质上被排出之后， 停止对被加热至约170(TC的催化线4的加热，能够抑制在催化线4的 温度比约170(TC低的状态下的催化线4与SiH4的接触。由此，能够抑 制在非晶硅膜(半导体膜10)的制造工艺结束时，形成由钨(W)构 成的催化线4和由SiH4构成的材料气体的化合物(硅化钨)。从而，与 上述同样，能够抑制催化线4的温度的控制变得困难。 (第二实施方式)在该第二实施方式中，不同于上述第一实施方式，对通过调压气 体进行反应室内的调压之后导入材料气体的例子进行说明。因为在第 二实施方式的半导体膜10的制造中使用的催化线CVD装置与上述第 一实施方式相同，所以省略说明。此外，在第二实施方式中，对基底20为非晶硅膜的例子进行说明。在第二实施方式中，在催化线CVD装置的设置部6上设置有由非 晶硅膜构成的基底20的状态下，开始半导体膜10的生成。在以下的 表3中表示第二实施方式的半导体膜10的制造工艺。此外，在第二实 施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体膜的制造方法，其特征在于，包括：　　　　将催化线加热至规定的温度以上的工序；和　　　　在所述催化线被加热至所述规定的温度以上之后，导入半导体的材料气体，并且利用加热的所述催化线分解所述材料气体，形成半导体膜的工序。

【技术特征摘要】
JP 2007-4-23 2007-1124861.一种半导体膜的制造方法，其特征在于，包括将催化线加热至规定的温度以上的工序；和在所述催化线被加热至所述规定的温度以上之后，导入半导体的材料气体，并且利用加热的所述催化线分解所述材料气体，形成半导体膜的工序。2. 根据权利要求1所述的半导体膜的制造方法，其特征在于，还包括在形成所述半导体膜之后，对所述材料气体迸行排气的工序；和在所述材料气体已实质上被排出之后，停止对被加热至所述规定 的温度以上的催化线的加热的工序。3. 根据权利要求1所述的半导体膜的制造方法，其特征在于形成所述半导体膜的工序包括通过在基底上堆积所述己分解的材 料气体，在所述基底上形成所述半导体膜的工序。4. 根据权利要求3所述的半导体膜的制造方法，其特征在于-所述基底包括非晶硅膜、透光性导电膜或单晶硅基板。5. 根据权利要求1所述的半导体膜的制造方法，其特征在于形成所述半导体膜的工序包括在利用不含有所述材料气体的调压 气体将所述半导体膜的形成时的气氛调压为规定的压力的状态下，导 入所述材料气体的工序。6. 根据权利要求5所述的半导体膜的制造方法，其特征在于形成所述半导体膜的工序包括通过在基底上堆积所述已分解的材 料气体，在所述基底上形成所述半导体膜的工序，在所述半导体膜的基底是非晶硅的情况下，所述调压气体含有分压为50%以上的氢。7. 根据权利要求5所述的半导体膜的制造方法，其特征在于形成所述半导体膜的工序包括通过在基底上堆积所述己分解的材 料气体，在所述基底上形成所述半导体膜的工序，在所述半导体膜的基底是透明导电膜的情况下，所述调压气体含 有分压为50。％以上的非氢气体。8. 根据权利要求5所述的半导体膜的制造方法，其特征在于 所述调压气体含有氢，将所述催化线加热至所述规定的温度以上的工序包括 在导入所述材料气体之前，在利用所述调压气体向所述规定的压力进行调压时，使所述催化线的温度处于低于所述规定的温度的状态的工序；禾口在利用所述调压气体调压至所述规定的压力之后，在导入所述材 料气体之前将所述催化线的温度加热至所述规定的温度以上的工序。9. 根据权利要求1所述的半导体膜的制造方法，其特征在于 所述材料气体包括硅垸气体，所述规定的温度为170(TC以上。10. 根据权利要求1所述的半导体膜的制造方法，其特征在于所述材料气体包括硅垸气体，所述催化线由通过与硅烷气体接触而形成硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺川朗，浅海利夫，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]