【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种适配电路，包括耗尽型场效应晶体管和限流电阻，所述耗尽型场效应晶体管的漏极连接所述适配电路的第一端，源极连接所述限流电阻的一端，栅极连接所述限流电阻的另一端并与所述适配电路的第二端连接，所述适配电路的第一端和第二端分别用于输入或输出电流。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴建元，许伟清，
申请(专利权)人：西门子数控南京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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