【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及高分子化合物及包含其的用于液浸曝光工艺的抗蚀剂保护膜组合物。
技术介绍
在半导体器件、液晶器件等各种电子器件的微细结构的制造中，广泛使用平版印刷法。但是，伴随着器件结构的微细化，要求平版印刷工序中的抗蚀剂图案的微细化。现在，根据平版印刷法，例如，最先端领域中，形成线宽为90nm程度的微细的抗蚀剂图案变为可能。但是，将来要求形成更加微细的图案。为了达到形成比90nm更微细的图案，曝光装置和对应于它的抗蚀剂的开发成为最重要的部分。对于曝光装置正在进行着F2准分子激光、极紫外光(EUV)、电子射线、X线、软X线等光源波长的短波长化或透镜的数值孔径(NA)的增大等开发。但是，光源波长的短波长化中，需要昂贵的新的曝光装置，高NA化中，分辨率与焦点深度幅存在互相矛盾的关系，因此即使提高分辨率也存在焦点深度幅低下的问题。最近，作为能够解决这样的问题的平版印刷技术，报道有称为液浸曝光方法的方法。该方法中，在曝光时，在透镜与基板上的抗蚀剂膜之间的至少抗蚀剂膜上介入给定厚度的纯水或者氟系非活性液体·等的液相折射率介质(折射率液体，浸溃液)。该方法中，将以往方法中填充有...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.11.17 KR 10-2010-0114558;2011.03.18 KR 10-2011.一种高分子化合物，包含: 下述化学式I所示的重复单元100摩尔份； 下述化学式2所示的重复单元10至900摩尔份；以及 下述化学式3所示的重复单元10至900摩尔份， 所述高分子化合物具有1，000至100，000的重均分子量， <化学式IX化学式2>〈化学式3>2.根据权利要求1所述的高分子化合物，其中， 所述1、R3> R4> R5和R6各自独立地是氢原子(H)、氟原子(F)、甲基、乙基、丙基、被一个以上的氟取代的碳数I至20的烷基，被一个以上的羟基取代的碳数I至20的烷基， 包含于所述R2的I至4个氢被所述化学式a所示的基团取代， 所述R7是氢原子、被一个以上的羟基取代的碳数I至25的烷基，或者被一个以上的羧基取代的碳数I至25的烷基， 所述R8是氢原子、或者被取代或未被取代的碳数I至10的烷基，R9是单键、或者被取代或未被取代的碳数I至5的亚烷基。3.根据权利要求1所述的高分子化合物，其中，所述化学式I所示的重复单元由下述化学式1-1至化学式1-18中的任一个表示:<化学式1-1X化学式1-2X化学式1-3>。如- - 十.0=)Q=4.根据权利要求1所述的高分子化合物，其中，所述化学式2所示的重复单元由下述化学式2-1表不: <化学式2-1>5.根据权利要求1所述的高分子化合物，其中，所述化学式3所示的重复单元由下述化学式3-1至化学式3-3中的一个表示: <化学式3-1X化学式3-2X化学式3-3>6.根据权利要求1所述的高分子化合物，其中，进一步包含下述化学式4所示的重复单元I至900摩尔份以及下述化学式5所示的重复单元10至100摩尔份中的一个以上:<化学式4>7.根据权利要求6所述的高分子化合物，其中， 所述Rltl和R13各自独立地是氢原子(H)、氟原子(F)、甲基、乙基、丙基、被一个以上的氟取代的碳数I至20的烷基、被一个以上的羟基取代的碳数I至20的烷基， 所述R12可以是氢原子、被一个以上的羟基取代的碳数I至25的烷基、或者被一个以上的羧基取代的碳数I至25的烷基，所述Rn、R15和R17可以是单键、或者被取代或未被取代的碳数I至5的亚烷基，所述R16可以是-COO-，R18和R19是氟原子(F)。8.根据权利要求6所述的高分子化合物，其中，所述化学式4所示的重复单元由下述化学式4-1至化学式4-12表不: <化学式4-1X化学式4-2X化学式4-3>9.根据权利要求6所述的高分子化合物，其中，所述化学式5所示的重复单元由下述化学式5...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩万浩，朴钟庆，金炫辰，金宰贤，
申请(专利权)人：株式会社东进世美肯，
类型：
国别省市：
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