用于金属气隙填充的屏蔽设计制造技术

本发明专利技术涉及被配置成加热半导体衬底或晶圆的物理汽相沉积系统。在一些实施例中，所公开的物理汽相沉积系统包括至少一个热源，热源具有加热衬底的一个或多个灯模块。屏蔽装置可以将灯模块和衬底分离。在一些实施例中，屏蔽装置包括一体式装置或分体式装置。所公开的物理汽相沉积系统可以加热半导体衬底，进行在半导体衬底上方沉积的金属膜回流而无需单独的室，因此降低处理时间，需要较少的热预算并且降低衬底损伤。本发明专利技术还提供了用于金属气隙填充的屏蔽设计。

【技术实现步骤摘要】
用于金属气隙填充的屏蔽设计
本专利技术一般地涉及半导体
，更具体地来说，涉及物理汽相沉积系统。
技术介绍
集成芯片通过复杂的制造工艺形成，在制造过程中，工件经过不同的步骤以形成一个或多个半导体器件。一些处理步骤可以包括：在半导体衬底上方形成薄膜。可以使用物理汽相沉积在低压处理室中的半导体衬底上方沉积薄膜。通常通过作用于靶材料以将靶材转化为蒸汽来实施物理汽相沉积。通常，通过包括多个高能量离子的等离子体作用于靶材料。高能量离子与靶材料碰撞，以将颗粒移动到蒸汽中。将该蒸汽输送到半导体衬底上，蒸汽在半导体衬底上方积累以形成薄膜。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种物理汽相沉积系统，包括：处理室，被配置成容纳衬底；靶，被配置成向所述处理室提供靶原子；以及至少一个热源，包括一个或多个灯模块并且被配置成加热所述衬底的表面。该物理汽相沉积系统进一步包括屏蔽装置。在该物理汽相沉积系统中，所述屏蔽装置包括一体式装置或分体式装置。在该物理汽相沉积系统中，所述分体式装置包括上部和下部。在该物理汽相沉积系统中，在所述处理室中，所述一个或多个灯模块被设置成：a）在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种物理汽相沉积系统，包括：处理室，被配置成容纳衬底；靶，被配置成向所述处理室提供靶原子；以及至少一个热源，包括一个或多个灯模块并且被配置成加热所述衬底的表面。

【技术特征摘要】
2012.01.23 US 13/355,7701.一种物理汽相沉积系统，包括：处理室，被配置成容纳衬底；靶，被配置成向所述衬底的表面提供靶原子；至少一个辐射热源，包括一个或多个灯模块并且被配置成在所述衬底上方以物理汽相沉积的方式形成金属膜后发射辐射能量到所述衬底的表面，从而回流所述金属膜；以及屏蔽装置，被配置成在所述靶向所述衬底的表面提供所述靶原子期间，使所述至少一个辐射热源与所述衬底分离，以及在形成所述金属膜后，使所述衬底的表面暴露于所述至少一个辐射热源下，以使所述一个或多个灯模块发射辐射能量到所述衬底的表面，从而回流所述金属膜。2.根据权利要求1所述的物理汽相沉积系统，其中，所述屏蔽装置是一体式装置或包括上屏蔽装置和下屏蔽装置的分体式装置。3.根据权利要求2所述的物理汽相沉积系统，其中，在所述处理室中，所述一个或多个灯模块被设置成：a)在包含分体式屏蔽装置的处理室中，位于下屏蔽装置和室壁之间；b)在包含分体式屏蔽装置的处理室中，位于上屏蔽装置和下屏蔽装置之间；c)在包含一体式屏蔽装置的处理室中，位于所述室屏蔽装置下方；或者d)在包含分体式屏蔽装置的处理室中，位于可旋转移动的传送臂上方，其中，所述传送臂容纳在所述处理室中的一侧并位于所述衬底的上方。4.根据权利要求1所述的物理汽相沉积系统，其中，所述灯模块包括多个独立的灯。5.根据权利要求4所述的物理汽相沉积系统，其中，所述独立的灯提供波长在可见光谱范围内的光。6.根据权利要求1所述的物理汽相沉积系统，进一步包括与每一个灯模块相关以将由所述灯模块发射的辐射能量反射到所述衬底上方的反射装置。7.根据权利要求6所述的物理汽相沉积系统，其中，所述反射装置包括反射器或反射器组。8.一种用于快速热处理半导体衬底的装置，包括：底座，被配置成支撑所述半导体衬底，所述半导体衬底在其上具有通过物理汽相沉积工艺形成的金属膜；辐射热源，包括一个或多个灯模块且被配置成在所述物理汽相沉积工艺后通过发射辐射能量到所述半导体衬底的表面以进行所述金属膜的回流，所述物理汽相沉积工艺形成的金属膜沉积在所述半导体衬底上方；以及屏蔽装置，被配置成在靶向所述半导体衬底的表面提供靶原子期间，使所述辐射热源与所述半导体衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡明志，林柏宏，周友华，高宗恩，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：