本发明专利技术涉及镀膜技术，公开了一种真空镀膜装置及其方法。本发明专利技术中，一个前真空传输腔体可同时连接至少两个并列的真空工艺腔体，根据工艺需求，并列的工艺腔体后可再连接一对或多对并列的真空工艺腔体，串联的多个真空工艺腔体即为一个真空工艺腔体组，在每个真空工艺腔体组中的最后一个真空工艺腔体后端，连接同一个后真空传输腔体。使得真空镀膜装置可同时输入至少两片基片，进行连续的工艺过程。两片基片可同时进行两种不同的工艺过程，也可同时进行两种相同的工艺过程。因此在同样的设备安装面积上，该装置可增加一倍的产出和降低成本达40％，大大提高了生成效率，降低了生产成本。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及镀膜技术，特别涉及真空镀膜技术。
技术介绍
在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜，包括物理沉积镀膜、化学沉积镀膜和蒸发镀膜等类型。目前的真空镀膜装置包含:一个真空进片腔体、一个前真空传输腔体、一个真空工艺腔体组(真空工艺腔体组中包含一个或多个串联的真空工艺腔体)、一个后真空传输腔体和一个真空出片腔体。需要进行镀膜的基片从真空进片腔体的入口端进入，当基片进入到真空进片腔体后，关闭真空进片腔体上的真空阀门，并将真空进片腔体抽真空。当真空进片腔体处于真空状态后，将基片从真空进片腔体经由前真空传输腔体传输到真空工艺腔体组中，由真空工艺腔体组中的一个或多个真空工艺腔体对该基片进行镀膜工艺处理，在完成镀膜工艺处理后，将完成镀膜工艺的基片传输至后真空传输腔体，后真空传输腔体再将该基片传输至真空出片腔体进行出片。然而，本专利技术的专利技术人发现，目前的真空镀膜装置在一次镀膜工艺过程中，只能对一片基片进行镀膜处理，因此在产出率及成本上都不够理想。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，使得真空镀膜装置可同时对至少两片基片进行两种相同或不同的工艺过程，从而大大提高了生成效率，降低了生产成本。为解决上述技术问题，本发`明的实施方式提供了一种真空镀膜装置，包含:一个前真空传输腔体、至少两个并列的真空工艺腔体组、一个后真空传输腔体；所述前真空传输腔体与并列的各所述真空工艺腔体组相连，该前真空传输腔体将至少两片基片同时或先后分别传输至并列的各所述真空工艺腔体组；一片基片传输至一个所述真空工艺腔体组中，每个所述真空工艺腔体组中，包含至少一个真空工艺腔体；各所述真空工艺腔体组均与所述后真空传输腔体相连，各所述真空工艺腔体组将完成镀膜工艺的基片传输至所述后真空传输腔体后出片；其中，前真空传输腔体内设有真空压力控制器，该压力控制器在需对所述各基片进行相同的镀膜工艺时，将所述前真空传输腔体内的压力控制为各所述真空工艺腔体组中的相同压力；该真空压力控制器在需对所述各基片进行不同的镀膜工艺时，依次将所述前真空传输腔体内的压力控制为目标真空工艺腔体组中的压力，所述目标真空工艺腔体组为当下需要将基片传输至的真空工艺腔体组。本专利技术的实施方式还提供了一种真空镀膜方法，包含以下步骤:通过一个前真空传输腔体将至少两片基片同时或先后分别传输至并列的至少两个真空工艺腔体组；一片基片传输至一个所述真空工艺腔体组中；由所述真空工艺腔体组中包含的真空工艺腔体，对接收到的基片进行镀膜工艺处理；所述真空工艺腔体组在完成对基片进行的镀膜工艺处理后，将完成镀膜工艺的基片传输至后真空传输腔体后出片；其中，在将至少两片基片同时或先后分别传输至并列的至少两个所述真空工艺腔体组的步骤中，包含以下子步骤:判断各所述基片是否需要进行相同的镀膜工艺，如果是，则将所述前真空传输腔体内的压力控制为各所述真空工艺腔体组中的相同压力；如果判定各基片需要进行不同的镀膜工艺，则依次将所述前真空传输腔体内的压力控制为目标真空工艺腔体组中的压力，所述目标真空工艺腔体组为当下需要将基片传输至的真空工艺腔体组。本专利技术实施方式相对于现有技术而言，一个前真空传输腔体可同时连接至少两个并列的真空工艺腔体组，每个真空工艺腔体组中包含至少一个真空工艺腔体。比如说，一个前真空传输腔体可同时连接两个并列的真空工艺腔体，根据工艺需求，并列的工艺腔体后可再连接一对或多对并列的真空工艺腔体，串联的多个真空工艺腔体即为一个真空工艺腔体组，在每个真空工艺腔体组中的最后一个真空工艺腔体后端，连接同一个后真空传输腔体。通过在前真空传输腔体内设有真空压力控制器，利用该真空压力控制器将前真空传输腔体内的压力控制为当前需要的压力。由于该真空镀膜装置可同时输入至少两片基片，进行连续的工艺过程。两片基片可同时进行两种不同的工艺过程，也可同时进行两种相同的工艺过程。因此在同样的设备安装面积上，该装置可增加一倍的产出和降低成本达40%，大大提高了生成效率，降低了生产成本。 优选地，在前真空传输腔体、真空工艺腔体组内包含的真空工艺腔体、后真空传输腔体中的任意一个或多个腔体内设有加热器或冷却器，使得基片可在进行镀膜前、镀膜过程中或镀膜后进行加热或冷却处理。优选地，基片材料为以下任意一种类型:玻璃、不锈钢、碳钢，铝、塑料和陶瓷。真空镀膜包含以下任意一种类型的镀膜:物理沉积镀膜、化学沉积镀膜和蒸发镀膜。使得该真空镀膜装置具有广泛的应用场景，可用于薄膜太阳能产业(如铜铟镓硒太阳能电池，碲化镉太阳能电池和非晶硅太阳能电池)，还可用于玻璃镀膜产业，半导体产业和其它镀膜产业。附图说明图1是根据本专利技术第一实施方式的真空镀膜装置的结构示意图；图2是根据本专利技术第三实施方式的真空镀膜方法流程图。具体实施例方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本专利技术各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。本专利技术的第一实施方式涉及一种真空镀膜装置。具体结构如图1所示，包含:一个真空进片腔体2、一个前真空传输腔体3、两个并列的真空工艺腔体组(如图中的真空工艺腔体组4和真空工艺腔体组5，真空工艺腔体组4中包含真空工艺腔体6和真空工艺腔体7，真空工艺腔体组5中包含真空工艺腔体8和真空工艺腔体9)、一个后真空传输腔体10、真空出片腔体11。在前真空传输腔体3中设有真空压力控制器，以将前真空传输腔体内的压力控制为当前需要的压力。其中，真空进片腔体2连接在所述前真空传输腔体3的前端，前真空传输腔体3从所述真空进片腔体2中同时或先后接收两片基片I。前真空传输腔体3与并列的真空工艺腔体组4、真空工艺腔体组5相连，该前真空传输腔体将两片基片I同时或先后分别传输至并列的各真空工艺腔体组；一片基片传输至一个所述真空工艺腔体组中。真空工艺腔体组4和真空工艺腔体组5组均与后真空传输腔体10相连，真空工艺腔体组4和真空工艺腔体组5将完成镀膜工艺的基片传输至后真空传输腔体10。在本实施方式中，每个真空工艺腔体组包含2个真空工艺腔体，包含的2个真空工艺腔体以串联方式相连接。如图1所示，真空工艺腔体组4包含串联的真空工艺腔体6和真空工艺腔体7，真空工艺腔体组5中包含串联的真空工艺腔体8和真空工艺腔体9。真空出片腔体11连接在后真空传输腔体10的后端，后真空传输腔体10将完成镀膜工艺的基片同时或先后传输至真空出片腔体11。当然，在前真空传输腔体、各真空工艺腔体、后真空传输腔体上还设有真空泵13，在各真空工艺腔体还根据工艺需要设有旋转靶或平面靶14，在各腔体中设有真空阀门15。这些真空泵、旋转靶或平面靶、真空阀门的设计与现有技术相同，在此不再赘述。具体地说，在本实施方式中，可同时或先后向真空进片腔体2输入两片基片1，在真空进片腔体2处于真空状态后，这两片基片I可同时或先后进入前真空传输腔体3。如果这两片基片I需进行的是相同的镀膜工艺，则说明基片后续进入的真空工艺腔体组中的压力相同，因此前真空传输腔体3中的真空压力控制器将前真空传输腔体内的压力控制为各真空本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种真空镀膜装置，其特征在于，包含：一个前真空传输腔体、至少两个并列的真空工艺腔体组、一个后真空传输腔体；所述前真空传输腔体与并列的各所述真空工艺腔体组相连，该前真空传输腔体将至少两片基片同时或先后分别传输至并列的各所述真空工艺腔体组；一片基片传输至一个所述真空工艺腔体组中，每个所述真空工艺腔体组中，包含至少一个真空工艺腔体；各所述真空工艺腔体组均与所述后真空传输腔体相连，各所述真空工艺腔体组将完成镀膜工艺的基片传输至所述后真空传输腔体后出片；其中，前真空传输腔体内设有真空压力控制器，该真空压力控制器在需对所述各基片进行相同的镀膜工艺时，将所述前真空传输腔体内的压力控制为各所述真空工艺腔体组中的相同压力；该真空压力控制器在需对所述各基片进行不同的镀膜工艺时，依次将所述前真空传输腔体内的压力控制为目标真空工艺腔体组中的压力，所述目标真空工艺腔体组为当下需要将基片传输至的真空工艺腔体组。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钱青，龚立光，
申请(专利权)人：英莱新能上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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