由PN结与金属条构成衬底屏蔽层的集成电路片上电感制造技术

技术编号:9239128 阅读:161 留言:0更新日期:2013-10-10 03:06
本发明专利技术公开了一种由PN结与金属条构成衬底屏蔽层的集成电路片上电感,包括P衬底,所述P衬底中色号在有多根条状N掺杂区,所述每根条状N掺杂区的上方设置有金属条,所述多根金属条相互连接且组成的网络不形成任何回路,所述金属条的上方设置有电感线圈。本发明专利技术通过在P衬底上设置了N掺杂区之后,会在N掺杂区的侧壁和底部与P衬底之间形成PN结,PN结中的内建电场会形成高阻的耗尽层,从而使漩涡电流只能在衬底的更深处产生,减少了漩涡电流的损耗。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种由PN结与金属条构成衬底屏蔽层的集成电路片上电感,其特征在于:包括P衬底(1),所述P衬底(1)中设有多根条状N掺杂区(2),所述每根条状N掺杂区(2)的上方设置有金属条(3),所述多根金属条(3)相互连接且组成的网络不形成任何回路,所述金属条(3)的上方设置有电感线圈(5)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:多新中陈强郑立荣张复才沈美根姚荣伟
申请(专利权)人:江苏博普电子科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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