【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种直立式电容结构，其特征在于：包括垂直内嵌于晶圆衬底内、自上而下贯通晶圆衬底的深沟结构、依次淀积于深沟内侧壁的绝缘层和导电层、以及填充于导电层之间的介电层；绝缘层、导电层、介电层与深沟等高；?所述深沟结构还能为两个平行的矩形条，或者两个平行的多边形条。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁英涛，高巍，王士伟，陈倩文，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：
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