【技术实现步骤摘要】
本技术涉及陶瓷电容器的制造设备,具体涉及一种用于半导体陶瓷电容器介质芯片烧结的匣钵。
技术介绍
进行半导体陶瓷电容器介质芯片的烧结时,通常将陶瓷电容器介质生坯放置到匣钵中,再将多个匣钵叠置,送入烧结炉进行烧结。现有的匣钵包括匣钵主体和多个支撑块,匣钵主体和支撑块由刚玉莫来石材料制成一体;匣钵主体包括底板和侧壁,底板和侧壁围成一顶部具有开口的腔体,该腔体用于装载陶瓷电容器介质生坯;支撑块设于侧壁顶部,多个匣钵叠置时,上层匣钵的底板处在下层匣钵的支撑块上,相邻两支撑块之间的缺口构成用于排放陶瓷电容器介质生坯中的有机成分(如粘结剂)的通道。在高温烧结过程中,匣钵表层往往会有一些刚玉莫来石材料脱落,上一层匣钵的底板下表面脱落的刚玉莫来石材料掉入下一层匣钵中,附着在陶瓷电容器介质生坯的表面上,与陶瓷电容器介质材料发生低固熔反应,以致在烧成的半导体陶瓷电容器介质芯片上出现孔洞。上述孔洞会降低半导体陶瓷电容器介质芯片的抗电强度,影响最终半导体陶瓷电容器产品的绝缘性能。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种用于半导体陶瓷电容器介质芯片烧结的匣钵,这种匣钵能够防止在高温烧结过程中刚玉莫来石材料脱落并附着在下一层匣钵中的陶瓷电容器介质生坯上。采用的技术方案如下:一种用于半导体陶瓷电容器介质芯片烧结的匣钵,包括匣钵主体和多个支撑块,匣钵主体和支撑块由刚玉莫来石材料制成一体,匣钵主体包括底板和侧壁,底板和侧壁围成一顶部具有开口的腔体,支撑块设于侧壁顶部,其特征是:所述底板的下表面上涂覆有氧化锆层。优选上述氧化锆层的厚度为0.3 — 0.7毫米。氧化锆的熔点高达2680° ...
【技术保护点】
一种用于半导体陶瓷电容器介质芯片烧结的匣钵,包括匣钵主体和多个支撑块,匣钵主体和支撑块由刚玉莫来石材料制成一体,匣钵主体包括底板和侧壁,底板和侧壁围成一顶部具有开口的腔体,支撑块设于侧壁顶部,其特征是:所述底板的下表面上涂覆有氧化锆层。
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体陶瓷电容器介质芯片烧结的匣钵,包括匣钵主体和多个支撑块,匣钵主体和支撑块由刚玉莫来石材料制成一体,匣钵主体包括底板和侧壁,底板和侧壁围成一顶部具有开口的腔体,支...
【专利技术属性】
技术研发人员:李言,黄瑞南,林榕,
申请(专利权)人:汕头高新区松田实业有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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