半导体模块制造技术

本发明专利技术提供一种半导体模块，所述半导体模块具有：半导体装置、第一导电部件、第二导电部件、第三导电部件以及绝缘部件。半导体装置具有半导体基板、第一电极以及第二电极，其中，所述第一电极被形成在半导体基板的一个表面上，所述第二电极被形成在与所述一个表面相反的半导体基板的表面上。第一导电部件与第一电极相接。第二导电部件与第二电极相接。第三导电部件与第二导电部件相接，且沿着第一导电部件而延伸。绝缘部件使第一导电部件和第三导电部件之间绝缘。第三导电部件通过被夹于第一导电部件和第二导电部件之间，从而相对于第一导电部件和第二导电部件而被固定。半导体装置通过被夹于第一导电部件和第二导电部件之间，从而相对于第一导电部件和第二导电部件而被固定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本说明书所公开的技术涉及一种半导体模块。
技术介绍
当半导体装置发热时，半导体装置及其周边的部件(焊锡、配线等)将发生热膨胀。由于各个部件的热膨胀率各自不同，因此在半导体装置上将被施加有应力。这种应力会缩短半导体装置的寿命。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题为了降低上述的应力，研究出一种如下的方法，S卩，在不使用通过焊锡等焊料所进行的接合的条件下，使半导体装置连接于配线的方法。例如，在日本专利公开公报H9-252067号(以下，称为专利文献I)中，公开了一种如下的半导体模块，所述半导体模块将半导体装置和各个电极板层叠，并通过对其进行加压从而对半导体装置和各个电极板进行连接。但是，在该半导体模块中，阳极板被配置在半导体模块的下表面上，阴极板被配置在半导体模块的上表面上。因此，在将该半导体模块安装在设备上时，需要分别在半导体模块的上表面侧(即，阴极板侧)和半导体模块的下表面侧(即，阳极板侧)连接配线。即，在将该半导体模块安装在设备上时，需要复杂的配线。因此，在本说明书中，提供一种能够通过更简单的配线而安装于设备上的半导体模块。用于解决课题的方法本说明书所公开的半导体模块具有:半导体装置、第一导电部件、第二导电部件、第三导电部件以及绝缘部件。半导体装置具有半导体基板、第一电极以及第二电极，其中，所述第一电极被形成在半导体基板的一个表面上，所述第二电极被形成在与所述一个表面相反的半导体基板的表面上。第一导电部件与第一电极相接。第二导电部件与第二电极相接。第三导电部件与第二导电部件相接，且沿着第一导电部件而延伸。绝缘部件使第一导电部件和第三导电部件之间绝缘。第三导电部件通过被夹于第一导电部件和第二导电部件之间，从而相对于第一导电部件和第二导电部件而被固定。半导体装置通过被夹于第一导电部件和第二导电部件之间，从而相对于第一导电部件和第二导电部件而被固定。在该半导体模块中，半导体装置通过被夹于第一导电部件和第二导电部件之间，从而相对于第一导电部件和第二导电部件而被固定。即，通过压力而使半导体装置被固定。在该半导体模块中，由于未使用由焊料进行的接合，因此在半导体装置发热时，在半导体装置上不易被施加有应力。第一导电部件与半导体装置的第一电极导通。此外，第三导电部件经由第二导电部件而与半导体装置的第二电极导通。第三导电部件沿着第一导电部件而延伸。因此，在将该半导体模块安装于设备上时，能够容易地设置对于第三导电部件以及第一导电部件的配线。上述半导体模块优选为,还具有筒体。并且优选为,筒体由绝缘体构成,并包围半导体装置，且被固定在第一导电部件上，并且在其外周面上形成有第一螺纹槽。此外，优选为，在第二导电部件上形成有第二螺纹槽，通过使第二螺纹槽卡合于第一螺纹槽，从而使第二导电部件被固定在筒体上。在该半导体模块中，通过旋转第二导电部件而使第二螺纹槽卡合于第一螺纹槽，从而能够将第二导电部件固定在筒体上。此外，根据这种结构，通过使第二导电部件旋转，从而能够对存在于第二导电部件和第一导电部件之间的、半导体装置和第三导电部件进行加压从而进行固定。即，通过将第二导电部件安装在筒体上，从而能够对第二导电部件、第三导电部件、第一导电部件以及半导体装置相互进行固定。因此，能够容易地组装该半导体模块。此外，由于第三导电部件为与第二导电部件分离的部件，因此能够独立于第三导电部件而使第二导电部件旋转。因此，能够容易地将第三导电部件相对于第一导电部件而进行定位。上述半导体模块优选为，在所述筒体的外周表面上形成有由凹形形状或凸形形状构成的第一卡合部。优选为，第三导电部件具有贯穿孔，且在贯穿孔的内表面上形成有由凹形形状或凸形形状构成的第二卡合部，并且，在第一卡合部与第二卡合部卡合的状态下，筒体被插入到第三导电部件的贯穿孔内。根据这种结构，能够防止在旋转第二导电部件时，第三导电部件相对于第一导电部件而进行相对旋转的情况。因此，能够切实地将第三导电部件相对于第一导电部件而进行定位。上述半导体模块优选为，在半导体基板的所述一个表面上还形成有第三电极，所述第三电极与第一电极以及第二电极相比流通有较小的电流。优选为，所述半导体模块还具有配线部件，所述配线部件在与第一导电部件绝缘的状态下贯穿第一导电部件，并与第三电极连接。根据这种结构，能够将与第三电极连接的配线部件延伸至第一导电部件侧。因此，能够将对于第三电极的配线设置在接近于第一导电部件的位置处。在上述半导体模块中，优选为，在第一导电部件的背面上形成有凹部，所述第一导电部件的背面相对于与第一电极相接的第一导电部件的表面而言为相反侧的表面。优选为，配线部件在形成有凹部的位置处贯穿第一导电部件，并在凹部内沿着凹部的底面而延伸。优选为，凹部内的配线部件被绝缘体覆盖。根据这种结构，配线部件将不会从第一导电部件的背面突出。从而易于使第一导电部件的背面紧贴在其他的设备上。因此，根据这种结构，能够容易地将半导体模块安装在设备上。上述半导体模块优选为，未形成有凹部的部分的第一导电部件的背面、和凹部内的绝缘体的表面形成了连续的平面。根据这种结构，能够更容易地将半导体模块安装在设备上。附图说明图1为第一实施例的半导体模块10的概要剖视图。图2为沿图1的I1-1I线的半导体模块10的剖视图。图3为沿图1的II1-1II线的半导体模块10的剖视图。图4为第一改变例的半导体模块的概要剖视图。图5为第二改变例的半导体模块的概要剖视图。图6为表示第三改变例的半导体模块的组装方法的概要剖视图。图7为表示第四改变例的半导体模块的组装方法的概要剖视图。图8为第二实施例的半导体模块100的概要剖视图。图9为凹部140的放大剖视图。图10为第三实施例的半导体模块200的概要剖视图。具体实施例方式(第一实施例)图1所示的半导体模块10为，将半导体装置20收纳在壳体40和罩50内的组件。壳体40具有由金属构成的电极板40a、和由绝缘体构成的绝缘部40b。电极板40a被形成为大致平面状。绝缘部40b由酚醛树脂等的高强度工程塑料构成。绝缘部40b被固定在电极板40a上。如图1 3所示，绝缘部40b具有筒部40c和凸缘部40d。筒部40c被形成为，中心轴以垂直于电极板40a的方式而延伸的圆筒形状。在筒部40c的外周面上形成有螺纹槽40f。在螺纹槽40f的下侧形成有凸部40g。如图3所示，凸部40g为，从筒部40c的外周面局部性地突出的部分。凸缘部40d为，与筒部40c的外周面相比半径更大的圆板状的部分。凸缘部40d被形成在凸部40g的下侧。电极板40a的一部分成为从固定有绝缘部40b的部分起向外侧延伸的延伸部40h。在电极板40a上，于筒部40c的内侧的位置处设置有:金属板84、半导体装置20、金属板82以及引脚90。金属板84被设置在电极板40a上。金属板84由锡等的比较柔软的金属构成。在金属板84上设置有半导体装置20。半导体装置20具有由SiC构成的半导体基板 24。在半导体基板 24 上形成有 MOSEFT (MOS FET Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor:M0S场效应晶体管)。在半导体基板24的下表面上形成有MOSFET的源电极26和多个MOSFET的栅电极28。图2的虚线26本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体模块，具有: 半导体装置，其具有半导体基板、第一电极以及第二电极，其中，所述第一电极被形成在半导体基板的一个表面上，所述第二电极被形成在与所述一个表面相反的半导体基板的表面上； 第一导电部件，其与第一电极相接； 第二导电部件，其与第二电极相接； 第三导电部件，其与第二导电部件相接，且沿着第一导电部件而延伸； 绝缘部件，其使第一导电部件和第三导电部件之间绝缘， 第三导电部件通过被夹于第一导电部件和第二导电部件之间，从而相对于第一导电部件和第二导电部件而被固定， 半导体装置通过被夹于第一导电部件和第二导电部件之间，从而相对于第一导电部件和第二导电部件而被固定。2.如权利要求1所述的半导体模块，其中， 还具有筒体，所述筒体由绝缘体构成，并包围半导体装置，且被固定在第一导电部件上，并且在外周面上形成有第一螺纹槽， 在第二导电部件上形成有第二螺纹槽，通过使第二螺纹槽卡合于第一螺纹槽，从而使第二导电部件被固定在筒体上。3.如权利要求2所述的半导体模块，其中， 在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：织本宪宗，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：
国别省市：