具有硅通孔结构的半导体器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种具有硅通孔结构的半导体器件，包括：硅衬底，开设有自硅衬底上表面穿入内部的硅通孔；绝缘层，覆盖于所述硅衬底上表面、硅通孔的侧壁及硅通孔的底面；所述硅通孔的顶端与硅衬底上表面交界的拐角处覆盖的绝缘层厚度，大于所述拐角旁的硅衬底上表面覆盖的绝缘层及硅通孔的侧壁覆盖的绝缘层厚度。本实用新型专利技术在硅通孔的顶端与硅衬底上表面交界的拐角处覆盖的绝缘层较厚，保证了此处绝缘层的保型覆盖性，且因为厚度足够，不会因器件使用中的热应力导致绝缘层开裂，因此增强了器件的可靠性，提高了产品的良率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件，特别是涉及一种具有硅通孔结构的半导体器件。
技术介绍
随着集成电路的集成度不断提高，半导体技术飞速发展。现有的集成度提高主要是采取减小最小特征尺寸，使得在给定的区域能够集成更多的元件。但减小最小特征尺寸在实质上基本都是2D (二维)集成，具体地说就是被集成的元件都位于半导体晶圆(wafer)的表面，但是随着集成电路技术进入32纳米甚至22纳米技术平台之后，系统复杂性、设备投资成本等方面急剧上升，为此，利用现代电子封装技术实现高密度的3D (三维)集成，成为了微电子电路(包括MEMS)系统级集成的重要技术途径。其中，硅通孔(through siliconvia, TSV)技术是3D领域多芯片叠层化集成和电互连的关键性技术，其优势包括:互连长度可以缩短到与芯片厚度相等，采用垂直堆叠的逻辑模块取代水平分布的逻辑模块；显著地减小RC延迟和电感效应，提高数字信号传输速度和微波的传输；实现高密度、高深宽比的连接，从而能够实现复杂的多片全硅系统集成，密度比当前用于先进多片模块的物理封装高出许多倍；同时更加节能，预期TSV能够降低芯片功耗大约40%。TSV技术关键工艺包括:通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有硅通孔结构的半导体器件，包括：硅衬底，开设有自硅衬底上表面穿入内部的硅通孔；绝缘层，覆盖于所述硅衬底上表面、硅通孔的侧壁及硅通孔的底面；其特征在于，所述硅通孔的顶端与硅衬底上表面交界的拐角处覆盖的绝缘层厚度，大于所述拐角旁的硅衬底上表面覆盖的绝缘层及硅通孔的侧壁覆盖的绝缘层厚度。

【技术特征摘要】
1.一种具有硅通孔结构的半导体器件，包括: 硅衬底，开设有自硅衬底上表面穿入内部的硅通孔； 绝缘层，覆盖于所述硅衬底上表面、硅通孔的侧壁及硅通孔的底面； 其特征在于，所述硅通孔的顶端与硅衬底上表面交界的拐角处覆盖的绝缘层厚度，大于所述拐角旁的硅衬底上表面覆盖的绝缘层及硅通孔的侧壁覆盖的绝缘层厚度。2.根据权利要求1所述的半导体器件...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙蓉，张国平，赵松方，
申请(专利权)人：中国科学院深圳先进技术研究院，
类型：实用新型
国别省市：