一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有用于形成浅沟槽隔离结构的沟槽；对所述沟槽执行第一离子注入步骤，以于所述沟槽的底部形成一P型阱区；使用隔离材料填充所述沟槽；对所述半导体衬底执行第二离子注入步骤，以于所述半导体衬底中形成多个n型阱区；所述P型阱区位于所述多个n型阱区之间。根据本发明专利技术，通过在浅沟槽隔离结构形成之前在半导体衬底中进行P型杂质的掺杂，可以避免光刻胶层厚度的增加所造成的光刻稳定性下降的问题，其能够有效稳定地提高阱与阱之间的电绝缘性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种在η阱之间掺杂P型掺杂离子来提高阱与阱之间的电绝缘的方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中，浅沟槽隔离结构(STI)形成于半导体衬底中的有源区之间，所述有源区中形成有晶体管、存储单元等电学器件。通常所述半导体衬底是经过轻度P型掺杂的，在所述半导体衬底的顶部通常形成有阱区。上述晶体管等电学器件就形成在所述阱区中或阱区上，上述晶体管的源漏区通常采用的是与所述阱区相反的掺杂类型的杂质掺杂的。在这些器件的工作过程中，阱与阱之间良好的电绝缘对于保证形成于所述阱中的这些晶体管器件的正常工作是非常重要的。如果阱与阱之间的电绝缘不足的话，相邻阱之间的耗尽区可能会跨过所述浅沟槽隔离区而彼此融合，导致所述相邻阱之间不希望看到的穿通(punch-through)或漏电流现象的出现。现有技术中通常采用在η阱之间掺杂P型掺杂离子的方法来提高阱与阱之间的电绝缘。如图1Α-1Ε所示其是现有技术中目前所使用的在η阱之间掺杂P型掺杂离子来提高阱与阱之间的电绝缘的方法，首先，如图1A所示，在半导体衬底100中的有源区102和103之间形成浅沟槽隔离结构101 ;接着如图1B本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有用于形成浅沟槽隔离结构的沟槽；对所述半导体衬底执行第一离子注入步骤，以于所述沟槽的底部形成一P型阱区；使用隔离材料填充所述沟槽；对所述半导体衬底执行第二离子注入步骤，以于所述半导体衬底中形成多个n型阱区；所述P型阱区位于所述多个n型阱区之间。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，包括: 提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有用于形成浅沟槽隔离结构的沟槽； 对所述半导体衬底执行第一离子注入步骤，以于所述沟槽的底部形成一 P型阱区； 使用隔离材料填充所述沟槽； 对所述半导体衬底执行第二离子注入步骤，以于所述半导体衬底中形成多个η型阱区； 所述P型阱区位于所述多个η型阱区之间。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括对所述半导体衬底进行退火的步骤，以活化注入到所述P型阱区和所述η型阱区中的离子。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述沟槽的步骤包括在所述半导体衬底上形成硬掩膜层的步骤，图案化所述硬掩膜层的步骤，以所述图案化了的硬掩膜层为掩膜蚀刻所述半导体衬底的步骤。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层包括自下而上的氧化物层和氮化物层。5.根据权利要求4所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋化龙，韩永召，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：