碳纳米管的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种碳纳米管的制造方法，其具有通过使包含乙炔、二氧化碳及不活泼气体的原料气体在承载有催化剂的支承体上流通，从而在支承体上合成碳纳米管的合成工序，在原料气体中，乙炔的分压为1.33×101～1.33×104Pa，二氧化碳的分压为1.33×101～1.33×104Pa，且乙炔和二氧化碳的分压比(乙炔/二氧化碳)为0.1～10。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
碳纳米管是具有将石墨烯片卷绕成筒状的结构、具有纵横比非常大的一维结构的材料(参照非专利文献I)。碳纳米管已知具有优异的机械强度和柔软性、半导体的导电性或金属的导电性以及化学性质也非常稳定的性质。关于，报道有电弧放电法、激光蒸发法、化学气相生长法(以下,称为CVD (Chemical Vapor Deposition)法。)等。其中，尤其CVD法是作为适合于大量合成、连续合成、高纯度化的合成方法备受瞩目的合成法(例如参照非专利文献2)。尤其是已确认到单层碳纳米管(以下，称为“SWCNT”。)根据卷绕方式、其直径的不同会显示金属的性质、半导体的性质，期待着在电气电子元件等中的应用。在SWCNT的合成中，使纳米管生长的催化剂CVD法(例如参照非专利文献3。)已成为主流。该催化剂CVD法以金属的纳米粒子作为催化剂。而且，边供给气体的碳源，边在高温下使碳源热分解，从催化剂的金属纳米粒子开始生长纳米管。现有技术文献非专利文献非专利文献 1]S.1ijima, Nature354, 56 (1991).非专利文献2斋藤理一郎、篠原久典共编《碳纳米管的基础和应用》培风馆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：羽场英介，野田优，长谷川馨，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，国立大学法人东京大学，
类型：
国别省市：