【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造适合于非致冷型红外传感器中所使用的热辐射计材料的红外传感器材料的方法，通过所述方法制造的红外传感器材料，使用所述红外传感器材料的红外传感器元件和使用所述红外传感器元件的红外图像传感器。
技术介绍
所有材料均辐射源自于材料自身的温度的红外辐射。感测红外辐射并检测观察目标的温度的器件通常被称作红外传感器。这种微观水平的红外传感器阵列用于红外成像技术中。因为红外成像技术使得能够对观察目标的温度进行成像，因此即使在深色视野中如在夜里也可进行视频记录。因此，红外成像技术已经成为保安摄像机、监控摄像机等中的必要技术。此外，近年来，甚至用于区别由于流感而发烧的人等，红外成像技术已经引起了关注。红外辐射是具有比可见光更长的波长区域的电磁波的泛称。近红外辐射(最高达约3 μ m)、中红外福射(约3 μ m至约8 μ m)、远红外福射(约8 μ m至约14 μ m)等为红外传感器中使用的波长范围。在观察人类生活环境作为观察目标的红外传感器中，远红外辐射是特别重要的，其原因在于，空气吸收很少的远红外辐射，并且人体温度辐射约10 μ m的远红外辐射。作为红外传感器材料...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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