低温生产石墨烯的方法，直接转移用相同方法的石墨烯的方法与石墨烯片材技术

本发明专利技术涉及用于在低温形成石墨烯的方法，涉及用于直接转移使用相同方法的石墨烯的方法，以及涉及石墨烯片材。用于在低温形成石墨烯的所述方法包括供给含有碳源的气体至在衬底上形成的用于生长石墨烯的金属氧化剂层，并通过电感耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）方式在500℃或更低的低温形成石墨烯。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及使用电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)在低温的石墨烯的生产方法，涉及直接转移使用相同方法的石墨烯的方法，以及石墨烯片材。
技术介绍
富勒烯、碳纳米管、石墨烯、石墨以及类似物是低维的由碳原子组成的纳米材料。也就是说，以六边形排列的碳原子可以形成由球组成的零维的富勒烯，可以形成一维筒状碳纳米管，可以形成二维单层的石墨烯，并可以形成三维堆叠的石墨。特别地，石墨烯具有非常稳定和优良的电气、机械和化学特性，并且是非常优秀的导电材料，电子在该材料中比在硅中移动快约100倍，且电流比在铜中大约100倍以上。在2004年当发现从石墨分离出石墨烯的方法时通过实验证实了这一点。此后，在这个问题上已经进行了大量的研究。石墨烯是由纯的相对为轻原子的碳原子组成，并且，因此，在一维或两维的纳米图案中非常容易处理石墨烯。用这种特征，控制半导电性能和导电性能是可能的，并且还能够制造包括使用各种碳化学键的传感器和存储器之类的广泛功能的器件。尽管以上描述的石墨烯的优良的电气、机械和化学特性，但由于还没有开发出石墨烯的大规模生产的方法，因此实际上应用技术的研究已受到限制。在常规的大规模生产方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.07.15 KR 10-2010-00686341.一种石墨烯的生产方法，其包含: 供给含有碳源的气体至衬底； 通过电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)在约500°C或更低的低温生产石墨烯。2.如权利要求1所述的石墨烯的生产方法，其中，所述衬底还包括用于生长石墨烯的金属催化剂层。3.如权利要求1所述的石墨烯的生产方法，其包括: 将所述衬底装载入ICP-CVD室并供给所述碳源以通过所述ICP-CVD在低温生产石墨烯的步骤， 其中，通过使用装载锁室按顺序将所述衬底装载入所述ICP-CVD室。4.如权利要求2所述的石墨烯的生产方法，其包括: 通过将所述衬底装载入沉积室在所述衬底上形成用于生长石墨烯的所述金属催化剂层的步骤；以及 将所述衬底装载入ICP-CVD室并供给所述碳源以通过所述ICP-CVD在低温生产石墨烯的步骤， 其中，通过使用装载锁室按顺序将所述衬底装载入所述沉积室和所述ICP-CVD室。5.如权利要求1所述的石墨烯的生产方法，其中，所述石墨烯是通过卷到卷工艺生产的。6.如权利要求1所述的石墨烯的生产方法，其中，所述衬底具有透明性或柔顺性，或透明性和柔顺性。7.如权利要求1所述的石墨烯的生产方法，其中，所述衬底包括金属箔、玻璃衬底或聚合物片材。8.如权利要求1所述的石墨烯的生产方法，其中，所述衬底是含有具有η-电子的聚合化合物的聚合物片材，或包括所述聚合物片材。9.如权利要求2所述的石墨烯的生产方法，其中，用于生长石墨烯的所述金属催化剂层包括选自由 N1、Co、Fe、Pt、Au、Al、Cr、Cu、Mg、Mn、Rh、S1、Ta、T1、W、U、V、Zr、Fe、黄铜、青铜、不锈钢、Ge、和它们的组合物组成的群组中的一种。10.如权利要求1所述的石墨烯的生产方法，其进一步包括: 冷却所生产的所述石墨烯。11.如权利要求1所述的石墨烯的生产方法，其中所述石墨烯的厚度通过调节所述ICP-CVD的反应时间来控制。12.如权利要求1所述的石墨烯的生产方法，其中，除了所述含有碳源的气体还供给还原性气体。13.如权利要求2所述的石墨烯的生产方法，其中，图案化用于生长石墨烯的所述金属催化剂层。14.如权利要求2所述的石墨烯的生产方法，其进一步包括: 在生产所述石墨烯之后，通过去除...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪秉熙，安钟贤，刘址范，裴秀康，郑明姬，张镐旭，李荣斌，金想珍，
申请(专利权)人：成均馆大学校产学协力团，三星泰科威株式会社，
类型：
国别省市：