本发明提供制造单晶薄膜的方法以及由如上方法制得的器件，根据上述方法，单晶硅薄膜的剥离可良好进行，得到高纯度的单晶硅薄膜。准备单晶硅衬底（模板Ｓｉ衬底）２０１，在这种单晶硅衬底２０１上，形成外延牺牲层２０２。然后，在这个牺牲层２０２上，用...