一种基于量子点的复合紫外增强薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种基于量子点的复合紫外增强薄膜及制备方法。所述基于量子点的复合紫外增强薄膜自下而上依次为底层石英基片、聚3,4-亚乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸薄膜层、聚4-丁基三苯胺薄膜层和量子点薄膜层，所述聚3,4-亚乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸薄膜层、聚4-丁基三苯胺薄膜层及量子点薄膜层通过旋涂法镀膜或提拉法镀膜而成。本发明专利技术的基于量子点的复合紫外增强薄膜由于含有了聚3,4-亚乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸薄膜层和聚4-丁基三苯胺薄膜层，从而减少了基于量子点的单层紫外增强薄膜表面的光的散射，进而增强了其发光能力，特别是深紫外波段发光效率得到增强，从而为量子点在紫外增强薄膜的应用提供了有效的手段。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
量子点荧光寿命长、有宽的激发谱和窄的发射谱、发光波长受量子点尺寸控制等优点被广泛应用于LED、生物检测等诸多领域。而对于硅基成像器件而言，由于其本身对于紫外波段响应比较弱，所以为增强其紫外响应，国内外开始广泛对紫外变频薄膜进行研究，原有的主要采用有机变频膜和无机变频膜两种材料，有机变频膜技术相对成熟，也有相关的专利出现。，但该类薄膜有着致命的缺点，那就是有机物分子在紫外辐射下降解速度很快。在照明度为I μ W/cm2的光照下，有机分子以高达每小时3%的速率成指数降解。所以开展对于无机变频薄膜的研究。无机荧光材料通常是由稀土氧化物与催化剂组成，无机荧光材料的晶体直径一般在I一 150Mm。因此，尽管用旋涂沉淀的方法制备的薄膜发光时间(寿命)相当长，一般可达5500h，但是制备的薄膜厚度均匀性等也存在诸多缺陷。量子点薄膜是一种新兴的材料，然而目前量子点薄膜主要是基于量子点的单层紫外增强薄膜，而该基于量子点的单层紫外增强薄膜在紫外波段尤其是深紫外波段发光效率很低。如果能将其应用于紫外增强，就可将原有缺陷解决，并使得其转换效率明显增强。专利技术内容本专利技术的目本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于量子点的复合紫外增强薄膜，为层状结构，包括石英基片、量子点薄膜层，其特征在于还包括由聚3,4?亚乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸薄膜层和聚4?丁基三苯胺薄膜层；所述的一种基于量子点的复合紫外增强薄膜自下而上依次为底层石英基片、聚3,4?亚乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸薄膜层、聚4?丁基三苯胺薄膜层和最上层的量子点薄膜层；所述的量子点薄膜层即为CdSe/ZnS核壳结构量子点薄膜层；所述的聚3,4?亚乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸薄膜层、聚4?丁基三苯胺薄膜层及量子点薄膜层通过旋涂法镀膜或提拉法镀膜而成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姜霖，陶春先，张大伟，王琦，黄元申，倪争技，庄松林，
申请(专利权)人：上海理工大学，
类型：发明
国别省市：