一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及薄膜技术。一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法，包括一基片，采用基片表面作为基底层，在基底层镀上一层均匀金属锌膜层,金属锌薄膜在空气环境中通过热氧化处理，即得到氧化锌薄膜。将制备好的金属锌薄膜置于马弗炉中，在空气环境下，4-25分钟内将温度升至400-600摄氏度，对金属锌薄膜进行热处理，即可得到非晶态透明氧化锌薄膜。本发明专利技术通过调节金属锌薄膜热氧化速度和温度可以制备非晶态透明氧化锌薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜技术，具体涉及一种氧化锌薄膜的制备方法。
技术介绍
宽禁带氧化物半导体由于在可见光范围内具有高透过率和良好的导电性能，被广泛应用于太阳能电池、平板显示器、有机光发射二极管、低辐射玻璃、透明薄膜晶体管及柔性电子器件等领域，其商业化前景十分看好。传统的半导体薄膜，存在大量的晶界等缺陷，引发了诸多器件性能方面的问题。如器件稳定性降低，均匀性变差，1-V特性随时间变化显著，受力弯折后性能发生突变等，这些都限制了材料应用领域。理论和实验证明，非晶态薄膜材料由于不存在晶界等缺陷，所制备的器件具有很好的均匀性及良好的抗弯曲性能等。非晶态氧化锌基半导体氧化物，具有以下特点:(I)金属锌元素取得容易，价格便宜；(2)非晶态的氧化锌导电性与晶态的ITO导电性相近，且非晶型态结构易于刻蚀；(3)非晶态的氧化锌表面粗糙度较ITO平缓，有助于光电器件的发光效率及寿命延长；(4)非晶态的氧化锌有利于低温成长，可 在柔性基底上得到性质良好的透明导电膜；(5)显著弯曲后仍保持性能不变；(6)适当的掺杂可有效改善导电能力等。该材料受到广大研究人员的青睐，是目前应用在透明柔性电子器件最被看好的半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法，包括一基片，采用基片表面作为基底层，其特征在于：在基底层镀上一层均匀金属锌膜层，金属锌薄膜在空气环境中通过热氧化处理，即得到氧化锌薄膜，将制备好的金属锌薄膜置于马弗炉中，在空气环境下，4?25分钟内将温度升至400?600摄氏度，对金属锌薄膜进行热处理，即可得到非晶态透明氧化锌薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法，包括一基片，采用基片表面作为基底层，其特征在于:在基底层镀上一层均匀金属锌膜层，金属锌薄膜在空气环境中通过热氧化处理，即得到氧化锌薄膜，将制备好的金属锌薄膜置于马弗炉中，在空气环境下，4-25分钟内将温度升至400-600摄氏度，对金属锌薄膜进行热处理，即可得到非晶态透明氧化锌薄膜。2.根据权利要求1所述的一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法，其特征在于:热氧化处理中，热氧化升温速度为4-25分钟。3.根据权利要求1所述的一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法，其特征在于:金属锌薄膜的热氧化温度范围为400-600摄氏度。4.根据权利要求1所述的一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法，其特征在于:所述基片为石英、玻璃、晶体或硅片。5.根据权利要求1-4中任意一项所述的一种制备非晶态透明氧化锌薄膜的方法，其特征在于:室温下，采用磁控反应溅 射法，实验采用99.99%的金属锌作为阴极靶，阳极和真空室相连； 将超声清洗后的基底装在基底夹具上，活动挡板置于基底夹具与靶之间；关好各气阀后抽真空，直至真空度达2X 10-4Pa以上； 通入适量IS气； 调节高阀至所需工作气压； 开直流电源起辉预溅射数分钟； 旋转基底夹具，移开活动挡板，开始沉积薄膜； 将沉积好的金属锌薄膜置于马弗炉中，在空气环境下，5分钟内将温度升至...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪瑞金，倪争技，王忠坦，周瑶，盛斌，黄元申，
申请(专利权)人：上海理工大学，
类型：发明
国别省市：