一种应用形状记忆合金赋予薄膜大弹性应变的方法技术

本发明专利技术涉及一种应用形状记忆合金赋予薄膜大弹性应变的方法。该方法包括以下步骤：在形状记忆合金衬底的表面进行沉积得到薄膜，然后进行拉伸，实现薄膜的拉应变；或者，在经过预拉伸处理的形状记忆合金衬底的表面在室温条件下进行沉积得到薄膜，然后加热并保温一定时间，使所述经过预拉伸处理的形状记忆合金衬底发生相变收缩，实现薄膜的压应变。与现有技术相比，本发明专利技术具有以下技术效果：本发明专利技术首次应用形状记忆合金来实现薄膜的大弹性应变，进而调控薄膜的光学禁带宽度等来提高材料的催化活性，方法简单、效果明显；本发明专利技术提供的方法在利用TiNi衬底带动陶瓷薄膜实现大变形的同时不会发生断裂。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于形状记忆合金材料应用

技术介绍
弹性应变工程是指对材料施加外加拉应力或者压应力，通过改变原子间距而调节材料的电学、光学、磁学、催化等物理和化学特性，进而优化材料性能。如在半导体领域通过晶格错配可以使硅中载流子迁移率提高50%，Pt-Cu 二元合金纳米粒子由于晶格错配产生的应变可以提高其催化活性，TiO2材料通过其它元素掺杂提供内应力等提高催化活性，弹性应变工程在实际的生产生活中有着非常重要的实用价值。通常人们采用晶格错配或者掺杂等方法施加弹性应变，但这些方法大多制备困难，成本高昂，变形量比较小且难于控制。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种实现薄膜大弹性应变的方法，其是利用形状记忆合金来实现薄膜 的大弹性应变的方法，为薄膜材料的功能特性改进提供了一种新方法。为达到上述目的，本专利技术提供了，其包括以下步骤在形状记忆合金衬底的表面使用脉冲激光沉积法(PLD)进行沉积得到薄膜，然后对形状记忆合金衬底进行拉伸，通过衬底的拉伸变形带动薄膜拉应变的实现；或者，在经过预拉伸处理的形状记忆合金衬底的表面进行沉积得到薄膜，然后加热并保温一定时间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用形状记忆合金赋予薄膜大弹性应变的方法，其包括以下步骤：在形状记忆合金衬底的表面使用脉冲激光沉积法进行沉积得到薄膜，然后对形状记忆合金衬底进行拉伸，通过衬底的拉伸变形带动薄膜拉应变的实现；或者，在经过预拉伸处理的形状记忆合金衬底的表面进行沉积得到薄膜，然后加热并保温一定时间，使所述经过预拉伸处理的形状记忆合金衬底发生相变收缩，通过衬底的收缩变形带动薄膜压应变的实现。

【技术特征摘要】
1.一种应用形状记忆合金赋予薄膜大弹性应变的方法，其包括以下步骤 在形状记忆合金衬底的表面使用脉冲激光沉积法进行沉积得到薄膜，然后对形状记忆合金衬底进行拉伸，通过衬底的拉伸变形带动薄膜拉应变的实现；或者，在经过预拉伸处理的形状记忆合金衬底的表面进行沉积得到薄膜，然后加热并保温一定时间，使所述经过预拉伸处理的形状记忆合金衬底发生相变收缩，通过衬底的收缩变形带动薄膜压应变的实现。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形状记忆合金为TiNi形状记忆合金。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述形状记忆合金是通过以下步骤制备的 按照50. 2 49. 8的原子比选取纯度在99. 9wt. %以上的单质钛、单质镍； 将单质钛和单质镍放入真空度高于KT1Pa或惰性气体保护的熔炼炉中，熔炼成TiNi形状记忆合金，得到铸锭； 在真空度高于KT1Pa的真空中或惰性气体保护中在800-1050°C对铸锭进行均匀化退火 5_60h ； 将退火后的铸锭进行冷轧和950°C再结晶退火，得到厚度为0. 5mm的板材； 将板材进一步线切割和机械抛光得到所述形状记忆合金衬底。4.根据权利要求1或3所述的方法，其中，所述预拉伸处理是指在300-500°C对所述形状记忆...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔立山，张利强，邵阳，姜大强，杨峰，杜敏疏，郭云鹏，郭方敏，
申请(专利权)人：中国石油大学北京，
类型：发明
国别省市：