有机金属化学汽相沉积的方法与装置制造方法及图纸

一种有机金属化学汽相沉积的方法与装置。在有机金属化学汽相沉积的方法中，先提供基板，于此基板的第一表面具有金属基材料层；再将基板放置于腔体内的基座上，且金属基材料层介于基板与基座之间，并对在第一表面的相对侧的第二表面进行有机金属化学汽相沉积制程，其中金属基材料层的热传导系数(thermal?conductivity)与基板的热传导系数的差值须在1W/m·°C~20W/m·°C之间，金属基材料层的热膨胀系数(thermal?expansion)与基板的热膨胀系数须在同一数量级(order)。

【技术实现步骤摘要】
有机金属化学汽相沉积的方法与装置
本专利技术涉及一种化学汽相沉积技术，且特别是涉及一种有机金属化学汽相沉积(metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD)的方法与装置。
技术介绍
在有机金属化学汽相沉积制程中需要加热至高温，制程中的高温有可能导致元件特性变差。譬如发光二极管良率(即LED binning)是由波长均匀度所主导，其中影响最直接的是铟(In)成分分布。而铟对于温度相当敏感，温度只要有些微的差异，整个波长均匀度都会改变。因此，热场均匀是改善发光二极管良率的关键技术之一。目前为改善发光二极管的良率，大多往温度均匀的方式发展，譬如利用内外圈的温度控制系统去调整，也有采用旋转基座的方式。但是，上述方式呈现的温度均匀性是有限的。另外，当基板与有机金属化学汽相沉积装置的温差过大，往往会发生基板翘曲的情形，尤甚者将导致基板破裂而产生不良品。因此，目前在整个制程期间均有测量基板翘曲的在线侦测系统。美国专利US7，314，519B2提出一种方法，该方法将基座的部分材料置换成与基板相同的材料，以使经基板的热传路径与不经基板的热传路径的热阻一致。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机金属化学汽相沉积的方法，包括：提供基板，于该基板的第一表面具有金属基材料层；将该基板放置于腔体内的基座上，且该金属基材料层介于该基板与该基座之间；以及对该基板的第二表面进行有机金属化学汽相沉积制程，其中该第二表面位于该第一表面的相对侧，且该金属基材料层的热传导系数与该基板的热传导系数的差值在1W/m·°C~20W/m·°C之间，该金属基材料层的热膨胀系数与该基板的热膨胀系数在同一数量级。

【技术特征摘要】
2011.10.13 TW 1001371911.一种有机金属化学汽相沉积的方法，包括 提供基板，于该基板的第一表面具有金属基材料层； 将该基板放置于腔体内的基座上，且该金属基材料层介于该基板与该基座之间；以及 对该基板的第二表面进行有机金属化学汽相沉积制程，其中该第二表面位于该第一表面的相对侧，且 该金属基材料层的热传导系数与该基板的热传导系数的差值在iw/m· ° (T20W/m · ° C之间， 该金属基材料层的热膨胀系数与该基板的热膨胀系数在同一数量级。2.如权利要求1所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中该金属基材料层能耐1000° C以上的温度。3.如权利要求1所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中该金属基材料层的电阻率的范围在同一数量级内。4.如权利要求1所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中该金属基材料层的厚度为I μ m 10 μ m。5.如权利要求1所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中进行该有机金属化学汽相沉积制程，以便于该基板的该第二表面形成半导体元件。6.如权利要求5所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中该金属基材料层是该半导体元件的电极。7.如权利要求1所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中该金属基材料层包括金属或金属化合物。8.如权利要求7所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中该金属基材料层包括钥、钽、银或钼。9.如权利要求1所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中该金属基材料层全面性地形成在该基板的该第一表面上。10.如权利要求1所述的有机金属化学汽相沉积的方法，其中进行该有机金属化学汽相沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄智勇，陈思豪，王庆钧，陈建志，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：