一种新型的用于晶圆二氧化硅背封膜生长过程的硅片承载装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种新型的用于晶圆二氧化硅背封膜生长过程的硅片承载装置，包括圆形的上基座和下基座，以及安装在上、下基座之间的三个承载棒，每个承载棒上均匀分布数个承载槽。通过该硅片承载装置在水平炉上可以实现晶圆单面接触生长二氧化硅背封膜，生长出来的背封二氧化硅背封膜边缘没有印记，整个表面均匀一致；膜质质量大幅提升。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种新型的用于晶圆二氧化硅背封膜生长过程的硅片承载装置。
技术介绍
随着国内集成电路产业的迅速发展，硅晶圆衬底材料的需求量也越来越大，质量要求越来越严格，为了防止重掺杂硅片在外延生产过程中引起杂质的外扩散和自掺杂，弓丨入了背封工艺，背封通常是在晶圆衬底片的背面生长一层封二氧化硅薄膜，由于杂质在封二氧化硅中的扩散系数远小于在硅中的扩散系数，因此可以对晶圆衬底片中的杂质进行有效封堵，顾名思义称之为背封。二氧化硅薄膜虽然背封效果较好，但引进封二氧化硅背封工艺的同时，二氧化硅薄膜的生长也成为一个不断研究的课题，现在比较常用的是采用低压化学气相淀积(LPCVD)的方式进行生长，一般采用水平卧式炉。但是在生长过程中，传统的方式是采用水平承载装置，硅片立放在承载装置上，一般水平承载装置需要四个槽棒来固定硅片，这样在生长过程中硅片与承载装置接触的位置晶圆两面都会有差异，虽然晶圆正面印记对我们没有影响，但晶圆背面即背封面的3 5cm的印记无法克服，不仅严重影响薄膜的均匀性，薄膜片内均匀性在5%左右，整炉片间均匀性在10%左右，而且在外观检测时，表面的四个印记严重影响外观，良率在70%左右，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型的用于晶圆二氧化硅背封膜生长过程的硅片承载装置，其特征在于，包括圆形的上基座和下基座，以及安装在上、下基座之间的三个承载棒，每个承载棒上均匀分布数个承载槽。

【技术特征摘要】
1.一种新型的用于晶圆二氧化硅背封膜生长过程的硅片承载装置，其特征在于，包括圆形的上基座和下基座，以及安装在上、下基座之间的三个承载棒，每个承载棒上均匀分布数个承载槽。2.根据权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，所述承载棒与所述上基座之间所成角度为10 20度。3.根据权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，每个承载棒上设有25个承载槽，所述承载槽的开口与承载棒之间所成角度为75 85度。4.根据权利要求1所述的硅片承载装置，其特征在于，所述承载槽的槽深为4 6_，槽间距为4...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐继平，孙洪波，刘斌，李耀东，党宇星，耿绪雷，王雷，张亮，叶松芳，
申请(专利权)人：有研半导体材料股份有限公司，
类型：实用新型
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