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本实用新型提供一种新型的用于晶圆二氧化硅背封膜生长过程的硅片承载装置，包括圆形的上基座和下基座，以及安装在上、下基座之间的三个承载棒，每个承载棒上均匀分布数个承载槽。通过该硅片承载装置在水平炉上可以实现晶圆单面接触生长二氧化硅背封膜，生长出...
该专利属于有研半导体材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过有研半导体材料股份有限公司授权不得商用。

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