一种适用于管式PECVD沉积工艺的镀膜陪片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种适用于管式PECVD沉积工艺的镀膜陪片，包括硅片，所述硅片的表面设置有绒面，所述绒面的表面预先沉积有二氧化硅膜层，在管式PECVD沉积工艺中，待沉积膜沉积于所述二氧化硅膜层的表面。进一步地，所述二氧化硅膜层的厚度为5～40nm，所述硅片的厚度不小于180um，所述待沉积膜为氮化硅膜层、氧化铝膜层、二氧化钛膜层或氮氧化硅膜层。该适用于管式PECVD沉积工艺的镀膜陪片，能够对管式PECVD工艺中沉积的氮化硅膜层快速去除并且去除效果好，从而利于重复利用。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于管式PECVD沉积工艺的镀膜陪片
本技术涉及太阳能电池生产
，尤其涉及一种适用于管式PECVD沉积工艺的镀膜陪片。
技术介绍
在管式PECVD实验过程中，通常会用到大量的假片作为实验的陪片，而陪片则是用于将空缺位用填满的废硅片，由于这个空缺位的硅片扩散出来的方阻不理想，所以用陪片填补，因而该位置的硅片不用于生产正常片。为了减少成本，通常这些陪片在连续使用5次后，会全部取出来进行返工处理，返工处理后进行重复使用。然而，现有技术中应用于管式PECVD实验过程中的陪片，由于其经管式PECVD沉积工艺之后，沉积的氮化硅膜层酸洗难度较大，容易造成陪片的浪费。
技术实现思路
本技术的目的在于提出一种适用于管式PECVD沉积工艺的镀膜陪片，能够对管式PECVD工艺中沉积的氮化硅膜层快速去除并且去除效果好，从而利于重复利用。为达此目的，本技术采用以下技术方案：一种适用于管式PECVD沉积工艺的镀膜陪片，包括硅片，所述硅片的表面设置有绒面，所述绒面的表面预先沉积有二氧化硅膜层，在管式PECVD沉积工艺中，待沉积膜沉积于所述二氧化硅膜层的表面。其中，所述二氧化硅膜层的厚度为5～40nm。其中，所述硅片的厚度不小于180um。其中，所述待沉积膜为氮化硅膜层、氧化铝膜层、二氧化钛膜层或氮氧化硅膜层。本技术的有益效果为：本技术的适用于管式PECVD沉积工艺的镀膜陪片，通过在硅片表面先制作绒面，然后在绒面的表面预先沉积有二氧化硅膜层，因而在镀膜陪片进行返工清洗过程中，由于待沉积膜的底层有一层相对疏松的二氧化硅膜层，使得酸洗时就会大大提升去除待沉积膜的时间和效果，因此，其能够对管式PECVD工艺中沉积的氮化硅膜层快速去除并且去除效果好，从而利于重复利用。附图说明图1是本技术的镀膜陪片的结构示意图。图中：1-硅片；2-绒面；3-待沉积层；4-二氧化硅膜层。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案。如图1所示，一种适用于管式PECVD沉积工艺的镀膜陪片，包括硅片1，所述硅片1的表面设置有绒面2，所述绒面2的表面预先沉积有二氧化硅膜层4。该镀膜陪片在管式PECVD沉积工艺中，待沉积膜3沉积于所述二氧化硅膜层4的表面。其中，所述待沉积膜3为氮化硅膜层、氧化铝膜层、二氧化钛膜层或氮氧化硅膜层。具体根据实际需要而定。优选的，所述二氧化硅膜层4的厚度为5～40nm，如厚度可以为5nm、7nm、10nm、12nm、15nm、17nm、19nm、23nm、25nm、28nm、30nm、32nm、34nm、36nm、37nm、38nm、39nm、40nm，这样在后续返工处理时，由于待沉积膜3如氮化硅等的底层有一层相对疏松的二氧化硅膜层4，因而在酸洗时就会大大的提升去除氮化硅膜层的时间和效果。进一步地，所述硅片1的厚度不小于180um，如厚度可以为180um、188um、192um、195um、200um等，从而可以避免硅片破碎。特别地，在本实施例中，由于其镀膜陪片是用于管式PECVD沉积实验，因而镀膜陪片需要在硅片的表面先制绒，使硅片的表面形成绒面，而且镀膜陪片的绒面的大小需要和实验时的真片的表面绒面保持一致，例如，镀膜陪片和真片的表面绒面坑洞大小的差异要保持在10％以内；正是由于管式PECVD的镀膜方式是属于直接式的，硅片是电极的一部分，是直接参与反应镀膜的，因而硅片表面不同的绒面会导致薄膜沉积的速率不同，因而如果镀膜陪片的表面的绒面和真片差异较大，就会影响到真片的镀膜效果，从而影响实验结果。综上所述，本技术的镀膜陪片，在管式PECVD沉积工艺中使用，可以将其设置于电池片的一些空缺位置，用于遮挡该空缺位置；并在硅片的表面做绒面，然后在绒面的表面预先沉积一层二氧化硅膜层的衬底，使得在后续的沉积工艺中待沉积膜直接沉积在该二氧化硅膜层的表面，利用二氧化硅膜层的疏松特性，利于酸洗时去除之前沉积的待沉积膜，便于重复利用。以上结合具体实施例描述了本技术的技术原理。这些描述只是为了解释本技术的原理，而不能以任何方式解释为对本技术保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本技术的其它具体实施方式，这些方式都将落入本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于管式PECVD沉积工艺的镀膜陪片，包括硅片(1)，其特征在于，所述硅片(1)的表面设置有绒面(2)，所述绒面(2)的表面预先沉积有二氧化硅膜层(4)，待沉积膜(3)沉积于所述二氧化硅膜层(4)的表面。

【技术特征摘要】
1.一种适用于管式PECVD沉积工艺的镀膜陪片，包括硅片(1)，其特征在于，所述硅片(1)的表面设置有绒面(2)，所述绒面(2)的表面预先沉积有二氧化硅膜层(4)，待沉积膜(3)沉积于所述二氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁中存，党继东，
申请(专利权)人：盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32