【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，该基板上形成有至少一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包含一栅极电极、一源极电极与一漏极电极；于该基板上依序形成一第一保护层与一平坦层，该第一保护层覆盖该薄膜晶体管，而该平坦层覆盖该第一保护层，该平坦层具有一第一开口，该第一开口对应于该漏极电极并暴露出该漏极电极上的部分该第一保护层；于该平坦层上形成一图案化第一导电层，该图案化第一导电层覆盖该第一开口的侧壁与部分该第一保护层，该图案化第一导电层具有一第二开口，暴露出该第一开口内的部分该第一保护层；于该图案化第一导电层上形成一第二保护层；于该第二保护层上形成一光阻图案层，该光阻图案层暴露出该第一开口内的部分该第二保护层；蚀刻该光阻图案层所暴露出的该第二保护层，以形成一第三开口，该第三开口暴露出部分该图案化第一导电层与部分该第一保护层；蚀刻该图案化第一导电层所暴露出的该第一保护层，以于该第一保护层中形成一第四开口，该第四开口暴露出部分该漏极电极；移除该光阻图案层；以及于该第二保护层上以及该第二开口、该第三开口与该第四开口内形成一图案化第二导电层，该图案化第二导电层电性连接暴露的该图案化第一导电层与...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：张玮伦，黄国有，陈勃学，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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