一种发光二极管芯片及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。该芯片包括：衬底、依次层叠在衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、量子阱发光层、p型层，不掺杂的GaN层的与n型层接触的表面上设有若干个孔洞，每个孔洞中沉积有荧光粉，且每个孔洞中的荧光粉的厚度小于孔洞的深度。本发明专利技术通过在不掺杂的GaN层上设置若干个孔洞，n型层位于不掺杂的GaN层上，减小了GaN层与n型层的晶格不匹配的差异，降低了n型层中的缺陷密度，有利于外延层中应力的释放和减少了缺陷对量子阱有源区的影响，提高了发光二极管的内量子效率和亮度；且孔洞中设有荧光粉，增加了发光二极管的外量子效率，提高了发光二极管亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及。
技术介绍
发光二极管是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，是目前最有前景的新一代节能，环保光源，广泛应用于人们的日常生活中。发光二极管芯片是半导体晶片，是发光二极管的核心组件。发光二极管芯片为半导体晶体，是下游发光二极管应用组件的核心。现有的发光二极管芯片通常包括衬底和外延层，外延层包括依次层叠在衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、η型层、量子阱发光层和P型层，量子阱发光层为由量子垒层和量子阱层交替生长形成的多层结构。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题:现有的发光二极管芯片，外延层与蓝宝石衬底的晶格常数和热膨胀系数失配，导致在界面处产生强的应力作用以及大量的位错和缺陷，以致η型层和不掺杂的GaN层在界面接触处也会产生晶格失配；而晶格失配将产生应力，导致随后生长的量子阱发光层也会产生缺陷，减小了发光二极管的内量子效率，降低了发光二极管的亮度。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题，本专利技术实施例提供了。所述技术方案如下:`—方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管芯片，所述芯片包括:衬底、依次层叠在所述衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片，所述芯片包括衬底、依次层叠在所述衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、量子阱发光层、p型层，其特征在于，所述不掺杂的GaN层的与所述n型层接触的表面上设有若干个孔洞，每个所述孔洞中沉积有荧光粉，且每个所述孔洞中的所述荧光粉的厚度小于所述孔洞的深度。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，所述芯片包括衬底、依次层叠在所述衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、η型层、量子阱发光层、P型层，其特征在于，所述不掺杂的GaN层的与所述η型层接触的表面上设有若干个孔洞，每个所述孔洞中沉积有荧光粉，且每个所述孔洞中的所述荧光粉的厚度小于所述孔洞的深度。2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述若干个孔洞均匀分布在所述不掺杂的GaN层的与所述η型层接触的表面上。3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，相邻的所述孔洞的孔心的间距为I 8μ m04.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于，所述孔洞的深度为0.2 I μ m，所述孔洞的孔径为0.5 4 μ m。5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述荧光粉的厚度为20 lOOnm。6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述η型层包括第一η型层和第二 η型层，所述第一 η型层包括若干个依次层叠在所述不掺杂的GaN层上的且η型掺杂浓度依次递增的子η型层，所述第二 η型层包括若干个依次层叠在所述第一 η型层上的且所述η型掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建宝，刘权，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42