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本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，属于半导体技术领域。该芯片包括：衬底、依次层叠在衬底上的缓冲层、不掺杂的GaN层、n型层、量子阱发光层、p型层，不掺杂的GaN层的与n型层接触的表面上设有若干个孔洞，每个孔洞中沉积有荧光粉，且每个...
该专利属于华灿光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电股份有限公司授权不得商用。

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