高电子迁移率晶体管及其形成方法技术

一种半导体结构包括：第一III-V族化合物层。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上方，并且第二III-V族化合物层的组成成分不同于第一III-V族化合物层的组成成分。载流子沟道位于第一III-V族化合物层和第二III-V族化合物层之间。源极部件和漏极部件设置在第二III-V族化合物层上方。栅电极设置在源极部件和漏极部件之间的第二III-V族化合物层的上方。氟区域内嵌在栅电极下方的第二III-V族化合物层中。栅极介电层设置在第二III-V族化合物层上方。栅极介电层具有氟区段，该氟区段位于氟区域上方以及栅电极的至少一部分下方。本发明专利技术还提供了高电子迁移率晶体管及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体结构，更具体地来说，涉及高电子迁移率晶体管(HEMT)和高电子迁移率晶体管的形成方法。
技术介绍
在半导体技术中，由于III族-V族(或III-V族)的半导体化合物的特性，将III族-V族(或III-V族)的半导体化合物用于形成各种集成电路器件，例如大功率场效应晶体管、高频晶体管或者高电子迁移率晶体管(HEMT)。因为HEMT通常为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，所以HEMT是场效应晶体管，该场效应晶体管结合在具有不同带隙的两种物质之间的结点(即，异质结)以作为沟道，而不是掺杂区域。与MOSFET相比，HEMT具有大量吸附特性，包括高电子迁移率、传输高频信号的能力等。从申请人的角度来看，增强型伍-III0(I6)I^I'具有多个优点I^-III0(I6I腿I'允许消除负极性电压源。因此，可以降低电路的复杂性和成本。除了上述吸附特性之外，存在与发展基于III-V族半导体化合物的器件相关的挑战。已经实现了用于这些III-V族半导体化合物的结构和材料的各种技术，从而尝试和进ー步提高晶体管的器件性能。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：第一III?V族化合物层；第二III?V族化合物层，所述第二III?V族化合物层设置在所述第一III?V族化合物层上方，并且所述第二III?V族化合物层的组成成分不同于所述第一III?V族化合物层的组成成分，其中，载流子沟道位于所述第一III?V族化合物层和所述第二III?V族化合物层之间；源极部件和漏极部件，所述源极部件和所述漏极部件设置在所述第二III?V族化合物层上方；栅电极，所述栅电极设置在所述源极部件和所述漏极部件之间的所述第二III?V族化合物层的上方，其中，氟区域内嵌在所述栅电极下方的所述第二III?V族化合物层中；以及栅极介电层，所述栅极介电层设置在所述第...

【技术特征摘要】
2011.10.31 US 61/553,510;2011.11.16 US 13/297,5251.一种半导体结构,包括: 第一 II1-V族化合物层； 第二 II1-V族化合物层，所述第二 II1-V族化合物层设置在所述第一 II1-V族化合物层上方，并且所述第二 II1-V族化合物层的组成成分不同于所述第一 II1-V族化合物层的组成成分，其中，载流子沟道位于所述第一 II1-V族化合物层和所述第二 II1-V族化合物层之间； 源极部件和漏极部件，所述源极部件和所述漏极部件设置在所述第二 II1-V族化合物层上方；栅电极，所述栅电极设置 在所述源极部件和所述漏极部件之间的所述第二 II1-V族化合物层的上方，其中，氟区域内嵌在所述栅电极下方的所述第二 II1-V族化合物层中；以及栅极介电层，所述栅极介电层设置在所述第二 II1-V族化合物层上方，所述栅极介电层具有氟区段，所述氟区段位于所述氟区域上方以及位于所述栅电极的至少一部分下方。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅电极下方的所述载流子沟道包括耗尽区。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅极介电层的厚度在大约3nm到大约20nm的范围内。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述栅极介电层包括:氧化硅、氮化硅、氧化镓、三氧化ニ铝、氧化钪、氧化锆、氧化镧、或者氧化铪。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄敬源，游承儒，姚福伟，许竣为，余俊磊，熊志文，杨富智，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：