半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一元件结构，第一元件结构包括：第一极性的电荷供给层；第二极性的电荷沟道层，电荷沟道层形成在电荷供给层上方并且包括凹陷部分；以及在电荷沟道层上方形成在凹陷部分中的第一电极。

【技术实现步骤摘要】

本文讨论的实施方案涉及。
技术介绍
正在研究利用氮化物半导体的如高饱和电子速度、宽带隙等特征来将其应用于高耐压和高输出功率半导体器件。例如，GaN是氮化物半导体中的一种，具有3. 4eV的带隙， 其大于Si的带隙(1.1eV)和GaAs的带隙(1. 4eV)，并且还具有高的击穿电场强度。因此， GaN是用于在高电压下操作并产生高输出功率的电源半导体器件的有前途的材料。关于由氮化物半导体制成的器件，有大量关于场效应晶体管尤其是高电子迁移率晶体管(HEMT)的报道。例如，在GaN HEMT中，使用GaN作为电子沟道层和AlGaN作为电子供给层的AlGaN/GaN HEMT正在引起关注。在AlGaN/GaN HEMT中，由于GaN和AlGaN的晶格常数的差异，所以在AlGaN中产生畸变。畸变导致压电极化和AlGaN的自发极化，产生高浓度的二维电子气(2DEG)。因此， 期望可以将使用氮化物半导体的器件用作电动车辆等的高耐压功率器件和高效率开关元件。[专利文献]日本特开第2007-220895号公报目前，GaN氮化物半导体没有作为P型晶体管投入实际使用。这是因为只有η型晶体管可以在已经投入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：第一元件结构，所述第一元件结构包括：第一极性的电荷供给层；第二极性的电荷沟道层，所述电荷沟道层形成在所述电荷供给层上方并且包括凹陷部分；以及第一电极，所述第一电极在所述电荷沟道层上方形成在所述凹陷部分中。

【技术特征摘要】
2011.09.29 JP 2011-2153481.一种半导体器件，包括 第一元件结构,所述第一元件结构包括 第一极性的电荷供给层； 第二极性的电荷沟道层，所述电荷沟道层形成在所述电荷供给层上方并且包括凹陷部分；以及 第一电极，所述第一电极在所述电荷沟道层上方形成在所述凹陷部分中。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述凹陷部分是未穿过所述电荷沟道层的非穿透性开口。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述第一极性为负极性。4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括 第二元件结构， 其中所述第一元件结构还包括形成在所述电荷沟道层下方的所述第一极性的电子沟道层，以及 其中所述第二元件结构包括 所述电子沟道层； 电子供给层，所述电子供给层为与所述电荷供给层相同的层并且形成在所述电子沟道层上方；以及 第二电极，所述第二电极形成在所述电子供给层上方。5.一种制造包括第一元件结构的半导体器件的方法，在制造所述第一元件结构中，所述方法包括 形成第一极性的电荷供给层； 在所述电荷供给层上方形成第二极性的电荷沟道层； 在所述电荷沟道层中形成凹陷部分；以及 在所述电荷沟道层上方在所述凹陷部分中形成第一电极。6.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，其中将所述凹陷部分形成为未穿过所述电荷沟道层的非穿透性开口。7.根据权利要求5或6所述的制造半导体器件的方法，其中所述第一极性为负极性。8.根据权利要求5所述的制造半导体器件的方法，所述方法为制造除了包括所述第一元件结构之外还包括第二元件结构的半导体器件的方法，所述方法还包括 形成所述第二元件结构的电子沟道层； 同时形成所述第二元件结构的电子供给层和所述第一元件结构的所述电荷供给层，所述第二元件结构的所述电...

【专利技术属性】
技术研发人员：今田忠纮，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：