化合物半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及化合物半导体器件及其制造方法。一种HEMT包括：在SiC衬底上的化合物半导体层、具有开口并且覆盖化合物半导体层的氮化硅(SiN)保护膜、以及形成于化合物半导体层上以填塞开口的栅电极。在保护膜中，在下层部分6a处形成有从开口的侧表面突出的突出部分。

【技术实现步骤摘要】

实施方案涉及化合物半导体器件和制造化合物半导体器件的方法。
技术介绍
通过利用如高饱和电子速率和宽带隙等特征而作为高电压、大功率半导体器件的氮化物半导体器件正在得到活跃开发。氮化物半导体器件包括场效应晶体管。已经有大量关于场效应晶体管特别是高电子迁移率晶体管(HEMT)的报道。在HEMT中，在电子传输层中使用GaN并且在电子供给层中使用AlGaN的AlGaN/GaN HEMT正在引起关注。在AlGaN/GaN HEMT中，由于GaN与AlGaN之间的晶格常数的差异，在AlGaN中产生畸变。由畸变引起的压电极化和AlGaN的自发极化导致形成高浓度的二维电子气(2DEG)。因此，可以实现高电压和大功率。专利文献1:国际专利申请的日本国家公报2009-524242在用于高输出和高频率应用的氮化物半导体器件如AlGaN/GaNHEMT中，需要提高操作电压以获得大功率。但是，提高操作电压使得提高了在栅电极处或栅电极周围的电场强度并且使器件特性劣化(化学变化和物理变化)。为了提高大功率氮化物半导体器件的可靠性，必须要抑制由在栅电极处或栅电极周围的高电场引起的器件特性劣化。专利
技术实现思路
考虑到上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层；具有开口并且覆盖所述化合物半导体层的氮化硅保护膜；以及形成于所述化合物半导体层上以填塞所述开口的电极，其中所述保护膜的下层部分包括从所述开口的侧表面突出的突出部分。

【技术特征摘要】
2011.09.29 JP 2011-2151981.一种化合物半导体器件，包括化合物半导体层；具有开口并且覆盖所述化合物半导体层的氮化硅保护膜；以及形成于所述化合物半导体层上以填塞所述开口的电极，其中所述保护膜的下层部分包括从所述开口的侧表面突出的突出部分。2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述保护膜形成为使得所述下层部分的氮空位的百分比大于化学计量条件下的氮化硅的氮空位的百分比，并且使得所述保护膜朝向顶部接近化学计量条件。3.根据权利要求2所述的化合物半导体器件，其中所述保护膜中的所述下层部分的氮空位相对化学计量条件下的氮化硅的N原子的百分比为不大于50%。4.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述保护膜形成为使得所述下层部分由多晶硅制成，并且使得所述保护膜朝向顶部接近化学计量条件。5.根据权利要求1至4中任一项所述的化合物半导体器件，其中在所述保护膜中的所述突出部分被氧化。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：牧山刚三，冈本直哉，多木俊裕，美浓浦优一，尾崎史朗，宫岛丰生，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：