半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法。一种AlGaN/GaN?HEMT包括：化合物半导体多层结构、与化合物半导体多层结构的表面接触的插入金属层、形成在插入金属层上的栅极绝缘膜和形成在插入金属层上方的栅极，其中栅极绝缘膜介于栅极与插入金属层之间。

【技术实现步骤摘要】

本实施方案涉及半导体器件以及制造该半导体器件的方法。
技术介绍
氮化物半导体具有高的饱和电子速率和宽的带隙。已经利用这些特性以及其他特性，研究了将氮化物半导体应用于高耐受电压和高输出半导体器件。例如，作为氮化物半导体的GaN具有3. 4eV的带隙，高于Si的带隙(1.1eV)和GaAs的带隙(1. 4eV)，并且具有较高击穿场强度。由于这个原因，GaN作为提供高压操作和高输出的电源半导体器件的材料具有很好的前景。对于氮化物半导体基器件，已经有许多关于氮化物半导体基场效应晶体管特别是高电子迁移率晶体管(HEMT)的报道。例如，对GaN基HEMT (GaN-HEMT)的研究集中在将GaN用于电子传输层和将AlGaN用于电子供给层的AlGaN/GaN HEMT0在AlGaN/GaN HEMT中，由于GaN和AlGaN之间晶格常数的差异引起AlGaN的应变。由应变导致的压电极化和AlGaN自发极化提供高浓度的二维电子气(2DEG)，这使得AlGaN/GaN HEMT适用于用于电动车辆的高效开关元件和高耐受电压功率器件。专利文件1:日本公开特许公报2007-220895为了使用氮化物半导体器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体层；与所述半导体层的表面接触的第一导电层；形成在所述第一导电层上的绝缘膜；以及形成在所述第一导电层上方的第二导电层，所述绝缘膜介于所述第一导电层和所述第二导电层之间。

【技术特征摘要】
2011.09.29 JP 2011-2147221.一种半导体器件，包括半导体层；与所述半导体层的表面接触的第一导电层；形成在所述第一导电层上的绝缘膜；以及形成在所述第一导电层上方的第二导电层，所述绝缘膜介于所述第一导电层和所述第二导电层之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体层包括作为所述半导体层的顶层的半导体盖层，所述半导体盖层的极性与所述半导体层的其余部分的极性相反。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一导电层形成在所述半导体盖层上。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一导电层包括T1、Ni或Pd或者它们的任意组合作为材料。5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中所述第一导电层包括Ta或Al或者它们的任意组合作为材料。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：今田忠纮，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
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