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本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。一种AlGaN/GaN?HEMT包括：化合物半导体多层结构、与化合物半导体多层结构的表面接触的插入金属层、形成在插入金属层上的栅极绝缘膜和形成在插入金属层上方的栅极，其中栅极绝缘膜介于栅极与插入金属层之...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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