化合物半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供化合物半导体器件及其制造方法。所述化合物半导体器件包括：具有第一极性的电子传输层、形成在电子传输层上方并且具有第二极性的p型盖层以及形成在p型盖层上的并且具有第一极性的n型盖层。n型盖层包括具有不同厚度的部分。

【技术实现步骤摘要】

本实施方案涉及。
技术介绍
氮化物半导体具有高的饱和电子速度和宽的带隙。利用这些及其他特征，已经研究了氮化物半导体在高耐压和高输出的半导体器件中的应用。例如，作为氮化物半导体的GaN具有大于Si的带隙(1.1eV)和GaAs的带隙(1. 4eV)的3. 4eV带隙，并且具有较高的击穿场强。为此，GaN具有作为提供高电压操作和高输出的电源半导体器件的材料的巨大潜力。对于基于氮化物半导体的器件，已经对基于氮化物半导体的场效应晶体管、特别是高电子迁移率晶体管(HEMT)进行了许多报道。例如，对基于GaN的HEMT(GaN-HEMT)的报道着重于使用GaN用于电子传输层并且使用AlGaN用于电子供给层的AlGaN/GaN HEMT。在AlGaN/GaN HEMT中，GaN与AlGaN之间的光栅常数的差引起AlGaN中的应力。由应力引起的压电极化和AlGaN的自发极化提供了高浓度的二维电子气(2DEG)，这使得AlGaN/GaNHEMT有望用用于电动车辆的作为高效开关元件和高耐压功率器件。专利文件1:日本公开特许公报号2007-220895存在对局部控制在氮化物半导体器件中产生的2DEG的量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物半导体器件，包括：第一化合物半导体层，所述第一化合物半导体层具有第一极性；第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层形成在所述第一化合物半导体层上方，所述第二化合物半导体层包括第二极性；和第三化合物半导体层，所述第三化合物半导体层形成在所述第二化合物半导体层上方，所述第三化合物半导体层包括所述第一极性；其中所述第三化合物半导体层包括具有不同厚度的部分。

【技术特征摘要】
2011.09.29 JP 2011-2147231.一种化合物半导体器件，包括第一化合物半导体层，所述第一化合物半导体层具有第一极性；第二化合物半导体层，所述第二化合物半导体层形成在所述第一化合物半导体层上方，所述第二化合物半导体层包括第二极性；和第三化合物半导体层，所述第三化合物半导体层形成在所述第二化合物半导体层上方，所述第三化合物半导体层包括所述第一极性；其中所述第三化合物半导体层包括具有不同厚度的部分。2.根据权利要求1所述的化合物半导体器件，其中所述第一极性是负的。3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体器件，其中在所述第三化合物半导体层中形成有贯通口 ；以及所述化合物半导体器件还包括填充所述通孔的栅电极。4.根据权利要求1或2所述的化合物半导体器件，还包括形成在所述第三化合物半导体层上的场板电极。5.根据权利要求4所述的化合物半导体器件，其中所述场板电极形成在所述第三化合物半导体层的薄的部分上。6.根据权利要求1或2所述的化合物半导体器件，还包括形成在所述第一化合物半导体层上方的一对电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：今田忠纮，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
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