【技术实现步骤摘要】
在此所述的实施例涉及。
技术介绍
氮化物半导体的特征在于它们的高饱和电子速率和宽带隙。因此，已经广泛地调查了氮化物半导体，旨在利用这些特性将它们应用到高击穿电压、高输出的半导体装置。例如，作为氮化物半导体的GaN具有3. 4eV的带隙，该带隙大于Si的带隙(1.1eV)和GaAs的带隙(1.4eV)。因此，GaN具有大的击穿场强。GaN因此作为用于构成电源设备的化合物半导体装置的材料很有希望，该电源设备能够在高压下运行并且能够产生大的输出。已经作出了关于利用氮化物半导体的半导体装置的多个报告，该半导体装置以场效应晶体管为典型，并且特别以高电子迁移率晶体管(HEMT)为典型。在基于GaN的HEMT中，使用用于电子沟道层的GaN和使用用于电子供给层的AlGaN的基于AlGaN/GaN的HEMT吸引了大量关注。在基于AlGaN/GaN的HEMT中，因为在GaN和AlGaN之间在晶格常数上的差导致在AlGaN层中出现晶格畸变。该畸变引发了 AlGaN的压电极化和自发极化，并且由此产生高密度的、二维电子气(2DEG)。因此，基于AlGaN/GaN的HEMT预期作为高效率开...
【技术保护点】
一种化合物半导体装置，包括：衬底；在所述衬底上方形成的化合物半导体堆叠结构；以及在所述化合物半导体堆叠结构上或上方形成的栅极电极、源极电极和漏极电极，其中所述化合物半导体堆叠结构包括：电子沟道层；以及氮化物半导体层，所述氮化物半导体层包括在所述电子沟道层上方形成的电子供给层，并且在所述栅极电极和所述源极电极之间的区域以及在所述栅极电极和所述漏极电极之间的区域的每一个中的所述氮化物半导体层的表面处的铟（In）含有率低于在所述栅极电极下方的区域中的所述氮化物半导体层的表面处的铟（In）含有率。
【技术特征摘要】
2011.09.28 JP 2011-2131151.一种化合物半导体装置，包括衬底；在所述衬底上方形成的化合物半导体堆叠结构；以及在所述化合物半导体堆叠结构上或上方形成的栅极电极、源极电极和漏极电极，其中所述化合物半导体堆叠结构包括电子沟道层；以及氮化物半导体层，所述氮化物半导体层包括在所述电子沟道层上方形成的电子供给层，并且在所述栅极电极和所述源极电极之间的区域以及在所述栅极电极和所述漏极电极之间的区域的每一个中的所述氮化物半导体层的表面处的铟(In)含有率低于在所述栅极电极下方的区域中的所述氮化物半导体层的表面处的铟(In)含有率。2.根据权利要求1所述的化合物半导体装置，其中，所述氮化物半导体层包括在所述电子供给层上方形成的含铟层。3.根据权利要求1所述的化合物半导体装置，其中，所述电子供给层是含铟层。4.根据权利要求2或3所述的化合物半导体装置，其中，所述含铟层包括在所述栅极电极和所述源极电极之间的区域以及在所述栅极电极和所述漏极电极之间的区域的每一个中的铟消除区域，在所述铟消除区域中，铟(In)含有率朝向其较浅的部分减小。5.根据权利要求1至3的任何一项所述的化合物半导体装置，其中，通过InxAlyGa1^yN(0<x彡1,0彡y〈l, x+y ( I)来表示所述氮化物半导体层的组分。6.根据权利要求1至3的任何一项所述的化合物半导体装置，进一步包括在所述栅极电极和所述化合物半导体堆叠结构之间形成的栅极绝缘膜。7.根据权利要求1至3的任何一项所述的化合物半导体装置，进一步包括终止膜，所述终止膜覆盖在所述栅极电极和所述源极电极之间的区域以及在所述栅极电极和所述漏极电极之间的区域的每一个中的所述化合物半导体堆叠结构。8.—种电源设备,包括化合物半导体装置，所述化合物半导体装置包括衬底；在所述衬底上方形成的化合物半导体堆叠结构；以及在所述化合物半导体堆叠结构上或上方形成的栅极电极、源极电极和漏极电极，其中所述化合物半导体堆叠结构包括电子沟道层；以及氮化物半导体层，所述氮化物半导体层包括在所述电子沟道层上方形成的电子供给层，并且在所述栅极电极和所述源极电极之间的区域以及在所述栅极电极和所述漏极电极之间的区域的每一个中的所述氮化物半导体层的表面处的铟(In)含有率低于在所述栅极电极下方的区域中的所述氮化物半导体层的表面处的铟(In)含有率。9.一种放大器，包括化合物半导体装置，所述化合物半导体装置包括衬底；在所述衬底上方形成的化合物半导体堆叠结构；以及在所述化合物半导体堆叠结构上或上...
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