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本发明公开了化合物半导体装置及其制造方法。化合物半导体装置的一个实施例包括：衬底；在所述衬底上方形成的化合物半导体堆叠结构；以及在所述化合物半导体堆叠结构上或上方形成的栅极电极、源极电极和漏极电极。所述化合物半导体堆叠结构包括：电子沟道层；...
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