【技术实现步骤摘要】
示例实施例涉及功率器件及其制造方法，更具体地，涉及能够保持高击穿电压的高电子迁移率晶体管(HEMT)以及制造该高电子迁移率晶体管的方法。
技术介绍
高电子迁移率晶体管(HEMT)是ー种功率器件。HEMT包括在沟道层中用作载流子的ニ维电子气(2DEG)。由于2DEG用作载流子，所以HEMT的迁移率可以比一般晶体管高得多。HEMT可以包括具有宽带隙的化合物半导体。因而，HEMT的击穿电压可以比一般晶体管闻。HEMT的击穿电压可以与包括2DEG的化合物半导体例如GaN层的厚度成比例地增カロ。因而，HEMT的击穿电压可以通过形成厚GaN层而增加。然而，形成厚的GaN层花费长的时间，因此HEMT的生产率会降低。增加HEMT的击穿 电压的另一方法是去除硅基板。然而，在此情形下，可以进行额外的附属エ艺诸如晶片接合，而且在形成电极时产生困难。
技术实现思路
示例实施例涉及能够保持高击穿电压的高电子迁移率晶体管(HEMT)。示例实施例涉及制造HEMT的方法。额外的方面将在以下的描述中部分阐述，并将部分地从该描述而变得明显，或者可以通过示例实施例而获知。根据示例实施例，一种高电子迁移率...
【技术保护点】
一种高电子迁移率晶体管，包括：基板；高电子迁移率晶体管叠层，与所述基板间隔开；以及虚设绝缘层，在所述基板与所述高电子迁移率晶体管叠层之间，所述虚设绝缘层包括具有不同相的至少两种材料，并且所述虚设绝缘层定义空的空间，该空的空间在中间部分比在该空的空间的入口处更宽。
【技术特征摘要】
2011.09.29 KR 10-2011-00992341.一种高电子迁移率晶体管，包括基板；高电子迁移率晶体管叠层，与所述基板间隔开；以及虚设绝缘层，在所述基板与所述高电子迁移率晶体管叠层之间，所述虚设绝缘层包括具有不同相的至少两种材料，并且所述虚设绝缘层定义空的空间，该空的空间在中间部分比在该空的空间的入口处更宽。2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中具有不同相的所述至少两种材料包括固体材料和非固体材料。3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中所述固体材料是半导体材料，所述非固体材料是空气。4.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中所述固体材料包括氧化物。5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中具有不同相的所述至少两种材料包括固体材料，并且该固体材料是彼此间隔开的多个柱。6.如权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，其中所述多个柱是氧化物柱和多晶硅柱中的一种。7.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中所述氧化物柱是单晶硅氧化物柱和多晶硅氧化物柱中的一种。8.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中具有不同相的所述至少两种材料包括非固体材料，该非固体材料接触所述高电子迁移率晶体管叠层的一部分和所述基板的一部分。9.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中所述基板的所述一部分在所述源电极和所述漏电极下面。10.如权利要求8所述的高电子迁移率晶体管，其中所述基板的所述一部分在所述高电子迁移率晶体管叠层的上表面的位于所述源电极与所述漏电极之间的部分下面。11.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中所述高电子迁移率晶体管叠层包括在所述虚设绝缘层上的缓冲层；第一叠层，在所述缓冲层上并包括二维电子气(2DEG)；第二叠层，具有比所述第一叠层更大的极化；以及源电极、漏电极和栅极，在所述第二叠层上。12.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，其中所述缓冲层包括依次堆叠的第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层定义多个通孔。13.如权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其中所述第二缓冲层是化合物半导体层，该化合物半导体层具有超晶格层和根据所述第二缓冲层的厚度而改变的铝(Al)梯度分布两者之一。14.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，还包括在所述栅极与所述第二叠层之间的P型材料层。15.一种高电子迁移率晶体管，包括基板；虚设绝缘层，包括在所述基板上的彼此间隔开的多个柱，该虚设绝缘层定义至少一个空的空间，该空的空间在中间部分比在该空的空间的顶部宽；以及高电子迁移率晶体管叠层，在所述虚设绝缘层上。16.如权利要求15所述的高电子迁移率晶体管，其中所述虚设绝缘层的所述至少一个空的空间用空气填充。17.如权利要求16所述的高电子迁移率晶体管，其中所述多个柱是单晶硅柱、多晶硅柱和氧化物柱之一。18.如权利要求15所述的高电子迁移率晶体管，其中所述虚设绝缘层定义多个空的空间，所述高电子迁移率晶体管叠层包括在所述虚设绝缘层上的第一缓冲层，所述第一缓冲层定义多个通孔，所述第一缓冲层的多个通孔的每个交叠所述虚设绝缘层的所述多个空的空间中的一个，并且所述高电子迁移率晶体管叠层还包括在所述第一缓冲层上的半导体叠层，所述半导体叠层在所述第一缓冲层的所述多个通孔之上水平地延伸。19.如权利要求18所述的高电子...
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