【技术实现步骤摘要】
201610432032
【技术保护点】
一种积累型垂直HEMT器件,包括从下至上依次层叠设置的漏电极(1)、衬底(2)、缓冲层(3)、沟道层(5)和势垒层(6),所述势垒层(6)上表面两端设置有源电极(7);所述势垒层(6)上表面中部设置有绝缘栅极结构;所述源电极(7)与绝缘栅极结构之间的势垒层(6)上表面具有介质钝化层(10);其特征在于,所述衬底(2)、缓冲层(3)、沟道层(5)为N型掺杂;所述缓冲层(3)中存在电流阻挡层(4),所述阻挡层(4)为P型掺杂;所述绝缘栅极结构的中部沿垂直方向向下延伸,依次贯穿势垒层(6)、沟道层(5)和阻挡层(4)并延伸入缓冲层(3)中,绝缘栅极结构位于势垒层(6)上表面的部分及向下延伸的部分形成“T”型结构;所述绝缘栅极结构由绝缘栅介质(8)和被绝缘栅介质(8)包围栅电极(9)构成;所述阻挡层(4)位于绝缘栅介质(8)的两侧,且与绝缘栅介质(8)之间具有间距,此间距并形成电流孔径;所述源电极(1)和漏电极(7)为欧姆接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:罗小蓉,杨超,吴俊峰,彭富,魏杰,邓思宇,张波,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:四川;51
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