一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路制造技术

本发明专利技术提供了一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路：包括至少一级信号放大电路；所述信号放大电路中的隔直电容Cb1一端与输入信号连接，另一端接EHEMT晶体管Q1的栅极，Q1的源极接地，Q1的漏极接E-HEMT晶体管Q1a的源极，Q1a的漏极通过电感L1接电源；Q1a的栅极通过电阻R1接电源、也通过电容C1接地；Q1a的漏极接信号输出。本发明专利技术提供了一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路，提高了E-HEMT功率放大器性能。

【技术实现步骤摘要】
一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路
本专利技术涉及一种功率放大器电路，尤其涉及一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路。
技术介绍
HEMT功率放大器在现代通讯领域越来越重要，尤其是当HEMT的线宽越来越低时，器件表现的高频性能越来越好。本专利技术的共源共栅HEMT电路能够更优秀地体现HEMT器件在功率放大器领域的性能。功率管制造中对版图的布局要求非常高。相同的电路，不合理的版图布局会使功率管的功率合成能力差，甚至导致放大器烧坏；合理的版图布局可以使功率合成得更好，从而提升放大器性能。
技术实现思路
本专利技术所要解决的主要技术问题是提高E-HEMT功率放大器性能。为了解决上述的技术问题，本专利技术提供了一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路，包括至少一级信号放大电路；所述信号放大电路中的隔直电容Cb1一端与输入信号连接，另一端接EHEMT晶体管Q1的栅极，Q1的源极接地，Q1的漏极接E-HEMT晶体管Q1a的源极，Q1a的漏极通过电感L1接电源；Q1a的栅极通过电阻R1接电源、也通过电容C1接地；Q1a的漏极接信号输出。在一较佳实施例中：所述信号放大电路为两极；第一级信号放大电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路，其特征在于：包括至少一级信号放大电路；所述信号放大电路中的隔直电容Cb1一端与输入信号连接，另一端接EHEMT晶体管Q1的栅极，Q1的源极接地，Q1的漏极接E‑HEMT晶体管Q1a的源极，Q1a的漏极通过电感L1接电源；Q1a的栅极通过电阻R1接电源、也通过电容C1接地；Q1a的漏极接信号输出。

【技术特征摘要】
1.一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路，其特征在于：包括至少一级信号放大电路；所述信号放大电路中的隔直电容Cb1一端与输入信号连接，另一端接EHEMT晶体管Q1的栅极，Q1的源极接地，Q1的漏极接E-HEMT晶体管Q1a的源极，Q1a的漏极通过电感L1接电源；Q1a的栅极通过电阻R1接电源、也通过电容C1接地；Q1a的漏极接信号输出。2.根据权利要求1所述的一种共源共栅增强型HEMT功率放大器电路，其特征在于：所述信号放大电路为两极；第一级信号放大电路中的E-HEMT晶体管Q1a的漏极串接第二级信号放大电路中隔直电容Cb2到E-HEMT晶体管Q2的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张黎阳，赵骞，唐东杰，聂庆庆，傅金，
申请(专利权)人：厦门宇臻集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35